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电容参数

发布时间:2023-06-11 作者:admin 来源:文学

电容参数

电容参数

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2023年3月6日发(作者:经典段子)

【tips】本文由李雪梅老师精心收编整理,同学们定要好好复习!

电容器主要参数、基本公式以及参数计算!

电容器主要参数、基本公式以及参数计算!

电容器的主要参数有标称电容量和容差、额定电压、绝缘电

阻、损耗率,这些参数主要由电容器中的电介质决定。电容

器产品标出的电容量值。

云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下);

纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中(大约在

0.005μF~1.0μF);通常电解电容器的容量较大。

电容器主要参数

1、标称电容量和容差

标称电容量是标在电容器上的电容量。

电容器实际电容量与标称电容量的偏差称容差。某一个

电容器上标有220nJ,表示这个电容器的标称电容量为

220nF,实际电容量应220nF±5%之内,此处J表示容

量误差为±5%。若J改为K,表示误差为±10%;

改为M表示误差为±20%。

2、额定电压

在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器

的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如

果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复

的永久损坏。

3、绝缘电阻

理想的电容器,在其上加有直流电压时,应没有电流流

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过电容器,而实际上存在有微小的漏电流。直流电压除以漏

电流的值,即为电容器的绝缘电阻。其典型值为100MΩ

到10000MΩ。现在CL11、CBB22等塑料薄膜电容器的

绝缘电阻值可达到5000MΩ以上。电容器的绝缘电阻是

一个不稳定的电气参数,它会随着温度、湿度、时间的变化

而变化。绝缘电阻越大越好。

4、损耗率

电容器的损耗率是电容器一周期内转化成热能的能量

与它的平均储能的比率,通常用百分数表示。电容器转化成

热能的能量主要由介质损耗的能量和电容所有的电阻所引

起的能量损耗,在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏电

阻损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容

的损耗不仅与漏电阻有关,而且与周期性的极化建立过程有

关。有些电容器如电解电容在交流信号下工作损耗随频率迅

速增加,只能在直流或低频工作。

5、频率特性

随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规

律。

电容器参数的基本公式

6、相位角Ф

理想电容器:超前当前电压90度

理想电感器:滞后当前电压90度

理想电阻器:与当前电压的相位相同

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7、耗散系数(%)

损耗角正切值Tanδ

在电容器的等效电路中,串联等效电阻ESR同容抗

1/ωC之比称之为Tanδ,这里的ESR是在

120Hz下计算获得的值。显然,Tanδ随着测量频率

的增加而变大,随测量温度的下降而增大。

D.F.=tanδ(损耗角)=ESR/Xc=(2πfC)

(ESR)

损耗因数,因为电容器的泄漏电阻、等效串联电阻和等效串

联电感,这三项指标几乎总是很难分开,所以许多电容器制

造厂家将它们合并成一项指标,称作损耗因数,主要用来描

述电容器的无效程度。损耗因数定义为电容器每周期损耗能

量与储存能量之比。又称为损耗角正切。

图1中,电容的泄露电阻Rp、有效串联电阻Rs和有效串联

电感L式寄生元件,可能会降低外部电路的性能。一般将这

些元件的效应合并考虑,定义为损耗因数或DF。

电容的泄漏是指施加电压时流过电介质的微小电流。虽然模

型中表现为与电容并联的简单绝缘电阻Rp,但实际上泄露与

电压并非线性关系。制造商常常将将泄漏规定为

MΩ-μF积,用来描述电介质的自放电时间常数,

单位为秒。其范围介于1秒或更短与数百秒之间,前者如

铝和钽电容,后者如陶瓷电容。玻璃电容的自放电时间常数

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为1,000或更大;特氟龙和薄膜电容(聚苯乙烯、聚丙烯)

的泄漏性能最佳,时间常数超过1,000,000

MΩ-μF。对于这种器件,器件外壳的表面污染或相

关配线、物理装配会产生泄漏路径,其影响远远超过电介质

泄漏。

有效串联电感ESL(图1)产生自电容引脚和电容板的

电感,它能将一般的容抗变成感抗,尤其是在较高频率时;

其幅值取决于电容内部的具体构造。管式箔卷电容的引脚电

感显著大于模制辐射式引脚配置的引脚电感。多层陶瓷和薄

膜电容的串联阻抗通常最低,而铝电解电容的串联阻抗通常

最高。因此,电解电容一般不适合高频旁路应用。

电容制造商常常通过阻抗与频率的关系图来说明有效

串联电感。这些图会显示:在低频时,器件主要表现出容性

电抗;频率较高时,由于串联电感的存在,阻抗会升高。

有效串联电阻ESR(图1的电阻Rs)由引脚和电容板

的电阻组成。如上文所述,许多制造商将ESR、ESL和泄漏

的影响合并为一个参数,称为损耗因数或DF。损耗因数衡

量电容的基本无效性。制造商将它定义为每个周期电容所损

失的能量与所存储的能量之比。特定频率的等效串联电阻与

总容性电抗之比近似于损耗因数,而前者等于品质因数Q

的倒数。

损耗因数常常随着温度和频率而改变。采用云母和玻璃

电介质的电容,其DF值一般在0.03%至1.0%之间。室

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温时,陶瓷电容的DF范围是0.1%至2.5%。电解电容的

DF值通常会超出上述范围。薄膜电容通常是最佳的,其DF

值小于0.1%。

8、品质因素

Q=cotanδ=1/DF

9、等效串联电阻ESR(欧姆)

ESR=(DF)Xc=DF/2πfC

10、功率消耗

PowerLoss=(2πfCV2)(DF)

11、功率因数

PF=sinδ(lossangle)–cosФ(相

位角)

12、阻抗Z

在特定的频率下,阻碍交流电流通过的电阻即为所谓的

阻抗(Z)。它与电容等效电路中的电容值、电感值密切相关,

且与ESR也有关系。

Z=√[ESR+(XL-XC)]

式中,XC=1/ωC=1/2πfC

XL=ωL=2πfL

电容的容抗(XC)在低频率范围内随着频率的增加逐步

减小,频率继续增加达到中频范围时电抗(XL)降至ESR的

值。当频率达到高频范围时感抗(XL)变为主导,所以阻抗

是随着频率的增加而增加。

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13、漏电流

电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而,

由于铝氧化膜介质上浸有电解液,在施加电压时,重新形成

的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流

的电流。通常,漏电流会随着温度和电压的升高而增大。

14、纹波电流和纹波电压

在一些资料中将此二者称做涟波电流和涟波电压,其实

就是ripplecurrent,ripplevoltage。含义即为电容器

所能耐受纹波电流/电压值。它们和ESR之间的关系密切,

可以用下面的式子表示:

Urms=Irms×R

式中,Vrms表示纹波电压,Irms表示纹波电流,R表

示电容的ESR

由上可见,当纹波电流增大的时候,即使在ESR保持

不变的情况下,涟波电压也会成倍提高。换言之,当纹波电

压增大时,纹波电流也随之增大,这也是要求电容具备更低

ESR值的原因。叠加入纹波电流后,由于电容内部的等效串

连电阻(ESR)引起发热,从而影响到电容器的使用寿命。

一般的,纹波电流与频率成正比,因此低频时纹波电流也比

较低。

电容器参数计算

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