三极管符号

三极管符号

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2023年3月20日发(作者：zooq)

常用电子元器件参考大全

第一节部分电气图形符号

一．电阻器、电容器、电感器和变压器

二．

图形符号名称与说明图形符号名称与说明

电阻器一般符号

电感器、线圈、绕组或扼

流图。注：符号中半圆数

不得少于3个

可变电阻器或可调

电阻器

带磁芯、铁芯的电感器

滑动触点电位器

带磁芯连续可调的电感器

极性电容

双绕组变压器

注：可增加绕组数目

可变电容器或可调

电容器

绕组间有屏蔽的双绕组变

压器

注：可增加绕组数目

双联同调可变电容

器。

注：可增加同调联数

在一个绕组上有抽头的变

压器

微调电容器

二．半导体管

图形符号名称与说明图形符号名称与说明

二极管的符号

(1)

(2)

JFET结型场效应

管

(1)N沟道

(2)P沟道

发光二极管

光电二极管

PNP型晶体三极管

稳压二极管NPN型晶体三极

管

变容二极管

全波桥式整流器

三．其它电气图形符号

图形符号名称与说明图形符号名称与说明

具有两个电极

的压电晶体

注：电极数目

可增加

或接机壳或底板

熔断器导线的连接

指示灯及信号

灯

导线的不连接

扬声器动合(常开)触点开

关

蜂鸣器动断(常闭)触点开

关

接大地手动开关

第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数

一．电阻器和电位器

1．电阻器和电位器的型号命名方法

表1电阻器型号命名方法

第一部分：主称第二部分：材料第三部分：特征分类

第四部分：序号

符号意义

符

号意义

符

号

意义

电阻器电位器

R电阻器T碳膜1普通普通

对主称、材

料相同，仅性能

指标、尺寸大小

有差别，但基本

不影响互换使用

的产品，给予同

一序号；若性能

指标、尺寸大小

明显影响互换

时，则在序号后

面用大写字母作

为区别代号。

W电位器H合成膜2普通普通

S有机实芯3超高频――

N无机实芯4高阻――

J金属膜5高温――

Y氧化膜6――――

C沉积膜7精密精密

I玻璃釉膜8高压特殊函数

P硼碳膜9特殊特殊

U硅碳膜G高功率――

X线绕T可调――

M压敏W――微调

G光敏D――多圈

R热敏B温度补偿用――

C温度测量用――

P旁热式――

W稳压式――

Z正温度系数――

示例：

(1)精密金属膜电阻器

RJ73

第四部分：序号

第三部分：类别（精密）

第二部分：材料（金属膜）

第一部分：主称（电阻器）

(2)多圈线绕电位器

WXD3

第四部分：序号

第三部分：类别（多圈）

第二部分：材料（线绕）

第一部分：主称（电位器）

2．电阻器的主要技术指标

(1)额定功率

电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称

为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，

而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功

率，如表2所示。

表2电阻器的功率等级

名称额定功率（W）

实芯电阻器0.250.5125－

线绕电阻器

0.5

25

1

35

2

50

6

75

10

100

15

150

薄膜电阻器

0.025

2

0.05

5

0.125

10

0.25

25

0.5

50

1

100

(2)标称阻值

阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值

系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也

适用于电位器和电容器。

表3标称值系列

标称值系列精度电阻器（）、电位器（）、电容器标称值（PF）

E24

5%

1.0

2.2

4.7

1.1

2.4

5.1

1.2

2.7

5.6

1.3

3.0

6.2

1.5

3.3

6.8

1.6

3.6

7.5

1.8

3.9

8.2

2.0

4.3

9.1

E12

10%

1.0

3.3

1.2

3.9

1.5

4.7

1.8

5.6

2.2

6.8

2.7

8.2－－

E6

20%

1.01.52.23.34.76.88.2－

表中数值再乘以10n，其中n为正整数或负整数。

(3)允许误差等级

表4电阻的精度等级

允许误差

(%)

0.0010.0020.0050.010.020.050.1

等级符号EXYHUWB

允许误差

(%)

0.20.51251020

等级符号CDFGJ（I）K（II）M（III）

3．电阻器的标志内容及方法

(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额

定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数

阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5，2K7表

示2.7k，

表５

文字符号RKMGT

表示单位欧姆()千欧姆(103)兆欧姆(106)千兆欧姆(109)兆兆欧姆(1012)

例如：

RJ71－0.125－5k1－II

允许误差10%

标称阻值(5.1k)

额定功率1/8W

型号

由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1k，允许误

差为10%。

(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）

标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义

如图1和图2所示。

标称值第一位有效数字

标称值第二位有效数字

标称值有效数字后0的个数

允许误差

颜色第一位有效值第二位有效值倍率允许偏差

黑00

棕11

红22

橙33

黄44

绿55

蓝66

紫77

灰88

白99―20%~+50%

金5%

银10%

无色

20%

图1两位有效数字阻值的色环表示法

三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为20%）。例如，色环为棕黑红，表

示10102＝1.0k20%的电阻器。

四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示

15103＝15k5%的电阻器。

五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表

示275104＝2.75M1%的电阻器。

一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。较

标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的（1.5~2）倍。

有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判

断。

标称值第一位有效数字

标称值第二位有效数字

标称值第三位有效数字

标称值有效数字后0的个数

允许误差

颜色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍率允许偏差

黑000

棕1111%

红2222%

橙333

黄444

绿5550.5%

蓝6660.25

紫7770.1%

灰888

白999

金

银

图2三位有效数字阻值的色环表示法

4．电位器的主要技术指标

(1)额定功率

电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。使用中应注意额定功

率不等于中心抽头与固定端的功率。

(2)标称阻值

标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。

(3)允许误差等级

实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许20%、10%、5%、2%、1%

的误差。精密电位器的精度可达0.1%。

(4)阻值变化规律

指阻值随滑动片触点旋转角度（或滑动行程）之间的变化关系，这种变化关系可以是任

何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式（指数式）。

在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式（指数式）电位器适合于作收音

机、录音机、电唱机、电视机中的音量控制器。维修时若找不到同类品，可用直线式代替，

但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调控制等。

5．电位器的一般标志方法

WT－23.3k10%

允许误差10%

标称阻值3.3k

额定功率2W

碳膜电位器

WX－1510J

允许误差5%

标称阻值510

额定功率1W

线绕电位器

二．电容器

1．电容器型号命名法

表6电容器型号命名法

第一部分：主

称

第二部分：

材料

第三部分：

特征、分类第四部分：

序号

符号意

义

符

号意义

符

号

意义

瓷介云母玻璃电解其他

电

容

器

C

瓷介

1

圆片非密封－箔式非密封对主称、材料相同，仅尺

寸、性能指标略有不同，

但基本不影响互使用的产

Y

云母

2

管形非密封－箔式非密封

I

玻璃釉

3

迭片密封－烧结粉固体密封

O

玻璃膜

4

独石密封－烧结粉固体密封品，给予同一序号；若尺

寸性能指标的差别明显；

影响互换使用时，则在序

号后面用大写字母作为区

别代号。

Z

纸介

5

穿心－－－穿心

J

金属化纸

6

支柱－－－－

B

聚苯乙烯

7

－－－无极性－

L

涤纶

8

高压高压－－高压

Q

漆膜

9

－－－特殊特殊

S

聚碳酸脂

J

金属膜

H

复合介质

W

微调

D

铝

A

钽

N

铌

G

合金

T

钛

E

其他

示例：

(1)铝电解电容器

CD11

第四部分：序号

第三部分：特征分类（箔式）

第二部分：材料（铝）

第一部分：主称（电容器）

(2)圆片形瓷介电容器

CC1－1

第四部分：序号

第三部分：特征分类（圆片）

第二部分：材料（瓷介质）

第一部分：主称（电容器）

(3)纸介金属膜电容器

CZJX

第四部分：序号

第三部分：特征分类（金属膜）

第二部分：材料（纸介）

第一部分：主称（电容器）

2．电容器的主要技术指标

(1)电容器的耐压：常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V，10V，16V，25V，

40V，63V，100V，160V，250V，400V。

(2)电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表7所示。

表7

容许误差2%5%10%20%

+20%

-30%

+50%

-20%

+100%

-10%

级别0.2IIIIIIIVVVI

電容常用字母代表誤差﹕B:±0.1﹪,C:±0.25﹪,D:±0.5﹪,F:±1﹪,G:±2

﹪,J:±5﹪,K:±10﹪,M:±20﹪,N:±30﹪,Z:+80﹪-20﹪。

(3)标称电容量：

表8固定式电容器标称容量系列和容许误差

系

列

代

E24E12E6

号

容

许

误

差

5%（I）或（J）10%（II）或（K）20%（III）

或（m）

标

称

容

量

对

应

值

10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,

47,51,56,62,68,75,82,90

10,12,15,18,22,27,33,39,

47,56,68,82

10,15,22,23

,47,68

注：标称电容量为表中数值或表中数值再乘以，其中n为正整数或负整数，单位为pF。

3．电容器的标志方法

(1)直标法容量单位：F（法拉）、F（微法）、nF（纳法）、pF（皮法或微微法）。

1法拉=微法=微微法，1微法=纳法=微微法

1纳法=微微法

例如：4n7表示4.7nF或4700pF，0.22表示0.22F，51表示51pF。

有时用大于1的两位以上的数字表示单位为pF的电容，例如101表示100pF；用小于

1的数字表示单位为F的电容，例如0.1表示0.1F。

(2)数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字，

后一位表示位率。即乘以10i，i为第三位数字，若第三位数字9，则乘10-1。如223J代表

22103pF＝22000pF＝0.22F，允许误差为5%；又如479K代表4710-1pF，允许误差为5%

的电容。这种表示方法最为常见。

（3）色码表示法这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从

顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF。

有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22000pF。

三．电感器

1．电感器的分类

常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、

偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。

2．电感器的主要技术指标

(1)电感量:

在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比

其比例常数称为自感系数，用L表示，简称为电感。即：

式中：＝磁通量I＝电流强度

(2)固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感

器的固有电容。

(3)品质因数：

电感线圈的品质因数定义为：

式中：－工作角频率，L－线圈电感量，R－线圈的总损耗电阻

(4)额定电流：线圈中允许通过的最大电流。

(5)线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。

2．电感器电感量的标志方法

(1)直标法。单位H（亨利）、mH（毫亨）、H（微亨）、

(2)数码表示法。方法与电容器的表示方法相同。

(3)色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相似，色码一般有四种颜色，前两种

颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为H，第四种颜色是误差位。

四．半导体分立器件

1．半导体分立器件的命名方法

（1）我国半导体分立器件的命名法

表9国产半导体分立器件型号命名法

第一部分第二部分第三部分

第四部分第五部分

用数字表示器

件电极的数目

用汉语拼音字母表示器

件的材料和极性

用汉语拼音字母

表示器件的类型

用数字

表示器件

序号

用汉语拼

音表示规

格的区别

代号

符

号

意义符

号

意义符

号

意义符

号

意义

2

3

二极管

三极管

A

B

C

D

A

B

C

D

E

N型，锗材料

P型，锗材料

N型，硅材料

P型，硅材料

PNP型，锗材料

NPN型，锗材料

PNP型，硅材料

NPN型，硅材料

化合物材料

P

V

W

C

Z

L

S

N

U

K

X

G

普通管

微波管

稳压管

参量管

整流管

整流堆

隧道管

阻尼管

光电器件

开关管

低频小功率管

（＜3MHz,

P

C

<1W）

高频小功率管

（3MHz

P

C

<1W）

D

A

T

Y

B

J

CS

BT

FH

PIN

JG

低频大功率管

（＜3MHz,

P

C

1W)

高频大功率管

（3MHz

P

C

1W）

半导体闸流管

(可控硅整流器)

体效应器件

雪崩管

阶跃恢复管

场效应器件

半导体特殊器件

复合管

PIN型管

激光器件

例：

1)锗材料PNP型低频大功率三极管：2)硅材料NPN型高频小功率三极管：

3AD50C3DG201B

规格号规格号

序号序号

低频大功率低频大功率

PNP型、锗材料PNP型、锗材料

三极管三极管

3)N型硅材料稳压二极管：4)单结晶体管：

2CW51BT33E

序号规格号

稳压管耗散功率

N型、硅材料三个电极

二极管特种管

半导体

（2）国际电子联合会半导体器件命名法

表10国际电子联合会半导体器件型号命名法

第一部分第二部分第三部分第四部分

用字母表示使

用的材料用字母表示类型及主要特性

用数字或字母加

数字表示登记号

用字母对同一

型号者分档

符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义

A锗材料A

检波、开关和

混频二极管

M封闭磁路中的

霍尔元件

三

位

数

字

通用半

导体器件

的登记序

号（同一

类型器件

使用同一

登记号）

A

B

C

D

E



同一

型号器

件按某

一参数

进行分

档的标

志

B变容二极管P光敏元件

B硅材料

C

低频小功率三

极管Q发光器件

D

低频大功率三

极管R小功率可控硅

C砷化镓

E隧道二极管S小功率开关管

F

高频小功率三

极管T大功率可控硅

一

个

字

母

加

两

位

数

字

专用半

导体器件

的登记序

号（同一

类型器件

使用同一

登记号）

D锑化铟G

复合器件

及其它器件U大功率开关管

H磁敏二极管X倍增二极管

R

复合材

料

K

开放磁路中的

霍尔元件Y整流二极管

L

高频大功率三

极管Z

稳压二极管即

齐纳二极管

示例（命名）：

AF239S

AF239型某一参数的S档

普通用登记序号

高频小功率三极管

锗材料

国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：

1)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母

是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的

产品。

2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP

型）。

3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功

率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手

册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。

4)第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，

顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN

型。

5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如h

FE

或N

F

）进行分档。

6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测

量。

(3)美国半导体器件型号命名法

美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号

命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11所示。

表11美国电子工业协会半导体器件型号命名法

第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分

用符号表示

用途的类型

用数字表示

PN结的数目

美国电子工业协会

(EIA)注册标志

美国电子工业协会

(EIA)登记顺序号

用字母表示

器件分档

符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义

JAN

或J军用品

1二极管

N

该器件

已在美国

电子工业

协会注册

登记

多

位

数

字

该器件在

美国电子工

业协会登记

的顺序号

A

B

C

D



同一

型号的

不同档

别

2三极管

无非军用品

3三个PN

结器件

nn个PN

结器件

例：

1)JAN2N29042)1N4001

JAN2N29041N4001

EIA登记序号EIA登记序号

EIA注册标志EIA注册标志

三极管二极管

军用品

美国晶体管型号命名法的特点：

1)型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、

主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能

是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。

2)组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。

3)除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3N开头的晶体管分立器件，大都是美国

制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。

4)第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件可能特

性相差很大。例如，2N3464为硅NPN，高频大功率管，而2N3465为N沟道场效应管。

5)不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数

的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。

6)登记序号数大的通常是近期产品。

(4)日本半导体器件型号命名法

日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日

本工业标准（JIS）规定的命名法（JIS－C－702）命名的。

日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号

及意义如表12所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符

号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有：

M－松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。

N－松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（NHK）有关标准的登记产品。

Z－松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。

H－日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。

K－日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。

T－日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。

G－东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。

S－三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。

第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R，G，

Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作为直流放大系数h

FE

的分档标志。

表12日本半导体器件型号命名法

第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分

用数字表示类型

或有效电极数

S表示日本电子

工业协会

（EIAJ）的注册

用字母表示器件

的极性及类型

用数字表示在

日本电子工业

协会登记的顺

用字母表示

对原来型号

的改进产品

产品序号

符号

意义

符

号意义

符

号意义

符

号意义

符号

意义

0

光电(即光

敏)二极

管、晶体

管及其组

合管

S

表示已

在日本电

子工业协

会(EIAJ)注

册登记的

半导体分

立器件

APNP型高频管

四

位

以

上

的

数

字

从11

开始，表

示在日本

电子工业

协会注册

登记的顺

序号，不

同公司性

能相同的

器件可以

使用同一

顺序号，

其数字越

大越是近

期产品

ABCDEF

用

字母

表示

对原

来型

号的

改进

产品

BPNP型低频管

CNPN型高频管

DNPN型低频管

1二极管FP控制极可控

硅

2

三极管、

具有两个

以上PN

结的其他

晶体管

GN控制极可控

硅

HN基极单结晶

体管

JP沟道场效应

管

KN沟道场效应

管

3



具有四个

有效电极

或具有三

个PN结

的晶体管

M双向可控硅

n-1

具有n个

有效电极

或具有

n-1个PN

结的晶体

管

示例：

1）2SC502A（日本收音机中常用的中频放大管）

2SC502A

2SC502型的改进产品

日本电子工业协会登记顺序号

NPN型高频三极管

日本电子工业协会注册产品

三极管（两个PN结）

2）2SA495（日本夏普公司GF－9494收录机用小功率管）

2SA495

日本电子工业协会登记顺序号

PNP高频管

日本电子工业协会注册产品

三极管（两个PN结）

日本半导体器件型号命名法有如下特点：

1)型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极

管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。

2)第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。

3)第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三

极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。

4)第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，

顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为

200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的

先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。

5)第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。

6)日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S省

略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。

7)在低频管（2SB和2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征

频率f

T

为100MHz，所以，它们也可当高频管用。

8)日本通常把P

cm

1W的管子，称做大功率管。

2．常用半导体二极管的主要参数

表13部分半导体二极管的参数

类

型

参

数

型

号

最大

整流

电流

/mA

正向

电流

/mA

正向压

降(在

左栏电

流值

下)/V

反向

击穿

电压

/V

最高反

向工作

电压/V

反向

电流

/A

零偏

压电

容

/pF

反向恢复时

间/ns

普

通

检

波

二

极

管

2AP9

16

2.5

1

40

20

2501

fH(MHz)150

2AP7

5150

100

2AP11

2510

1

10

2501

fH(MHz)40

2AP17

1510100

锗

开

关

二

极

管

2AK1

1501

3010

3200

2AK24020

2AK5

2000.9

6040

2150

2AK10

101

7050

2150

2AK13

2500.7

6040

2AK147050

硅

开

关

二

极

管

2CK70A~E

10

0.8A30

B45

C60

D75

E90

A20

B30

C40

D50

E60

1.5

3

2CK71A~E

204

2CK72A~E

30

15

2CK73A~E

50

1

2CK74A~D

100

2CK75A~D

150

2CK76A~D

200

类型

参

数

型

号

最大

整流

电流

/mA

正向

电流

/mA

正向压

降(在

左栏电

流值

下)/V

反向

击穿

电压

/V

最高反

向工作

电压/V

反向

电流

/A

零偏

压电

容

/pF

反向恢复时间

/ns

整流

二极

管

2CZ52B

H20.1

1

25

600

同2AP普通二极管

2CZ53B

M60.3

1

50



1000

2CZ54B

M100.5

1

50



1000

2CZ55B

M201

1

50



1000

2CZ56B

B

653

0.8

25



1000

1N4001

4007

3011.1

50



1000

5

1N5391

5399

501.51.4

50



1000

10

1N5400

5408

20031.2

50



1000

10

3.常用整流桥的主要参数

表14几种单相桥式整流器的参数

参数

型号

不重复正向

浪涌电流/A

整流

电流/A

正向电

压降/V

反向漏

电/A

反向工作电压/V最高工作

结温/oC

QL110.05

1.2

10

常见的分档为：25，

50，100，200，400，

500，600，700，800，

900，1000

130

QL220.1

QL460.3

QL5100.5

QL6201

QL7402

15

QL8603

4.常用稳压二极管的主要参数

表15部分稳压二极管的主要参数

测试条件

参

型数

号

工作电流为

稳定电流

稳定电

压下

环境温度

<50oC

稳定电

流下

稳定电流下环境温度

＜10oC

稳定电压

/V

稳定电

流/mA

最大稳定

电流/mA

反向漏电

流

动态电

阻/

电压温度系

数/10-4/oC

最大耗散

功率/W

2CW512.5~3.5

10

71

560-9

0.25

2CW523.2~4.555

270-8

2CW534~5.841

150

-6~4

2CW545.5~6.538

30

-3~5

2CW567~8.827

157

2CW578.5~9.826

0.5208

2CW5910~11.8

5

20

309

2CW6011.5~12.519

409

2CW1034~5.850165

120

-6~4

1

2CW11011.5~12.52076

0.5209

2CW11316~191052

0.54011

2CW1A530240

20

1

2CW6C153070

8

1

2CW7C6.0~6.51030

10

0.050.2

5.常用半导体三极管的主要参数

(1)3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管

表163AX51(3AX31)型半导体三极管的参数

原型号3AX31

测试条件

新型号3AX51A3AX51B3AX51C3AX51D

极

限

参

数

PCM(mW)1Ta＝25oC

ICM(mA)1

TjM(oC)75757575

BVCBO(V)

30303030

IC＝1mA

BVCEO(V)

12121824

IC＝1mA

直

流

参

数

ICBO(A)12121212

VCB＝-10V

ICEO(A)500500300300

VCE＝-6V

IEBO(A)12121212

VEB＝-6V

hFE40~15040~15030~10025~70VCE＝-1VIC＝50mA

交

流

参

数

f(kHz)500500500500

VCB＝-6VIE＝1mA

NF(dB)－

8

－－VCB＝-2VIE＝0.5mAf＝1kHz

hie(k)

0.6~4.50.6~4.50.6~4.50.6~4.5VCB＝-6VIE＝1mAf＝1kHz

hre(10)2.22.22.22.2

hoe(s)80808080

hfe－－－－

hFE色标分档(红)25~60；(绿)50~100；(蓝)90~150

管脚

B

EC

（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管

表173AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数

型号3AX81A3AX81B测试条件

极限

参数

PCM(mW)200200

ICM(mA)200200

TjM(oC)7575

BVCBO(V)-20-30IC＝4mA

BVCEO(V)-10-15IC＝4mA

BVEBO(V)-7-10IE＝4mA

ICBO(A)3015

VCB＝-6V

直流

参数

ICEO(A)1000700

VCE＝-6V

IEBO(A)3015

VEB＝-6V

VBES(V)

0.60.6

VCE＝-1VIC＝175mA

VCES(V)

0.650.65

VCE＝VBEVCB＝0IC＝200mA

hFE40~27040~270VCE＝-1VIC＝175mA

交流

参数

f(kHz)68

VCB＝-6VIE＝10mA

hFE色标分档(黄)40~55(绿)55~80(蓝)80~120(紫)120~180(灰)180~270(白)270~400

管脚

B

EC

（3）3BX31型NPN型锗低频小功率三极管

表183BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数

型号3BX31M3BX31A3BX31B3BX31C测试条件

极限

参数

PCM(mW)5Ta=25oC

ICM(mA)5

TjM(oC)75757575

BVCBO(V)-15-20-30-40IC＝1mA

BVCEO(V)-6-12-18-24IC＝2mA

BVEBO(V)-6-10-10-10IE＝1mA

直流

参数

ICBO(A)2520126

VCB＝6V

ICEO(A)1000800600400

VCE＝6V

IEBO(A)2520126

VEB＝6V

VBES(V)

0.60.60.60.6

VCE＝6VIC＝100mA

VCES(V)

0.650.650.650.65

VCE＝VBEVCB＝0IC＝125mA

hFE80~40040~18040~18040~180VCE＝1VIC＝100mA

交流

参数

f(kHz)

－－

8f465

VCB＝-6VIE＝10mA

hFE色标分档(黄)40~55(绿)55~80(蓝)80~120(紫)120~180(灰)180~270(白)270~400

管脚

B

EC

(4)3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管

表193DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管的参数

原型号3DG6

测试条件

新型号3DG100A3DG100B3DG100C3DG100D

极

限

参

数

PCM(mW)1

ICM(mA)20202020

BVCBO(V)

30403040

IC＝100µA

BVCEO(V)

20302030

IC＝100µA

BVEBO(V)

4444

IE＝100A

直

流

参

数

ICBO(A)0.010.010.010.01

VCB＝10V

ICEO(A)0.10.10.10.1

VCE＝10V

IEBO(A)0.010.010.010.01

VEB＝1.5V

VBES(V)

1111

IC＝10mAIB＝1mA

VCES(V)

1111

IC＝10mAIB＝1mA

hFE30303030

VCE＝10VIC＝3mA

交

流

参

数

fT(MHz)

150150300300V

CB

＝10VI

E

＝3mAf＝100MHzR

L

＝5

KP(dB)

7777V

CB

＝-6VI

E

＝3mAf＝100MHz

Cob(pF)

4444

VCB＝10VIE＝0

hFE色标分档(红)30~60(绿)50~110(蓝)90~160(白)>150

管脚

B

EC

(5)3DG130(3DG12)型NPN型硅高频小功率三极管

表203DG130(3DG12)型NPN型硅高频小功率三极管的参数

原型号3DG12

测试条件

新型号3DG130A3DG130B3DG130C3DG130D

极

限

参

数

PCM(mW)7

ICM(mA)3

BVCBO(V)

40604060

IC＝100µA

BVCEO(V)

30453045

IC＝100µA

BVEBO(V)

4444

IE＝100A

直

流

参

数

ICBO(A)0.50.50.50.5

VCB＝10V

ICEO(A)1111

VCE＝10V

IEBO(A)0.50.50.50.5

VEB＝1.5V

VBES(V)

1111

IC＝100mAIB＝10mA

VCES(V)

0.60.60.60.6

IC＝100mAIB＝10mA

hFE30303030

VCE＝10VIC＝50mA

交

流

参

数

fT(MHz)

150150300300V

CB

＝10VI

E

＝50mAf＝100MHzR

L

＝

5

KP(dB)

6666V

CB

＝–10VI

E

＝50mAf＝100MHz

Cob(pF)

10101010

VCB＝10VIE＝0

hFE色标分档(红)30~60(绿)50~110(蓝)90~160(白)>150

管脚

B

EC

(5)9011~9018塑封硅三极管

表219011~9018塑封硅三极管的参数

型号

(3DG)

9011

(3CX)

9012

(3DX)

9013

(3DG)

9014

(3CG)

9015

(3DG)

9016

(3DG)

9018

极

限

参

数

PCM(mW)200200200

ICM(mA)202520

BVCBO(V)20

BVCEO(V)020

BVEBO(V)5554444

直

流

参

数

ICBO(A)

0.010.50,50.050.050.050.05

ICEO(A)

0.1110.50.50.50.5

IEBO(A)

0.010.50,50.050.050.050.05

VCES(V)0.50.50.50.50.50.50.35

VBES(V)111111

hFE30

交

流

参

数

fT(MHz)1

Cob(pF)3.52.541.64

KP(dB)10

hFE色标分档(红)30~60(绿)50~110(蓝)90~160(白)>150

管脚

EBC

6．常用场效应管主要参数

表22常用场效应三极管主要参数

参数名称

N沟道结型MOS型N沟道耗尽型

3DJ23DJ43DJ63DJ73D013D023D04

D~HD~HD~HD~HD~HD~HD~H

饱和漏源电流I

DSS

(mA)0.3~100.3~100.3~100.35~1.80.35~100.35~250.35~10.5

夹断电压V

GS

(V)

<1~9<1~9<1~9<1~91~91~91~9

正向跨导g

m

(V)>2000>2000>1000>3000

100040002000

最大漏源电压BV

DS

(V)>20>20>20>20>20>12~20>20

最大耗散功率P

DNI

(mW)10025~100100

栅源绝缘电阻r

GS

()

108108108108108108~109100

管脚

GD

或

SDSG

五．模拟集成电路

1.模拟集成电路命名方法（国产）

表23器件型号的组成

第0部分第一部分第二部分第三部分第四部分

用字母表示器件

符合国家标准

用字母表示器件的类型用阿拉伯数

字表示器件

用字母表示器件

的工作温度范围

用字母表示器件的封装

符

号

意义符

号

意义的系列和品

种代号

符号意义符

号

意义

C中国制造TTTLC0~70oCW陶瓷扁平

HHTLE-40~85oCB塑料扁平

EECLR-55~85oCF全封闭扁平

CCMOSM



-55~125oC



D陶瓷直插

F线性放大器P塑料直插

D音响、电视电路J黑陶瓷直插

W稳压器K金属菱形

J接口电路T金属圆形

例：

CF741CT

金属圆形封装

0o~70oC

器件代号

线性放大器

中国国家标准

2．国外部分公司及产品代号

表24国外部分公司及产品代号

公司名称代号公司名称代号

美国无线电公司(BCA)CA美国悉克尼特公司(SIC)NE

美国国家半导体公司(NSC)LM日本电气工业公司(NEC)

PC

美国莫托洛拉公司(MOTA)MC日本日立公司(HIT)RA

美国仙童公司(PSC)

A

日本东芝公司(TOS)TA

美国德克萨斯公司(TII)TL日本三洋公司(SANYO)LA，LB

美国模拟器件公司(ANA)AD日本松下公司AN

美国英特西尔公司(INL)IC日本三菱公司M

3．部分模拟集成电路引脚排列

(1)运算放大器，如图3所示：(2)音频功率放大器，如图所示：

抑抑

正输调电自制制输

电出零源举纹空纹入空

源端端端端波脚波端脚

87658

LM741LA4100

调负正负输电衬补补负空

零输输电出源底偿偿反脚

端入入源端地地端端馈

端端端端

图3图4

(3)集成稳压器，如图所示：

LM

317

调输

整入

123

输出

图5

4．部分模拟集成电路主要参数

(1)A741运算放大器的主要参数

表25A741的性能参数

电源电压+U

CC

-UEE

+3V~+18V，典型值+15V

-3V~-18V，-15V工作频率10kHz

输入失调电压U

IO

2mV单位增益带宽积A

u

•BW1MHz

输入失调电流I

IO

20nA转换速率S

R0.5V/S

开环电压增益A

uo

106dB共模抑制比CMRR90dB

输入电阻R

i2M

功率消耗50mW

输出电阻R

o75

输入电压范围

13V

(2)LA4100、LA4102音频功率放大器的主要参数

表26LA4100~LA4102的典型参数

参数名称/单位条件

典型值

LA4100LA4102

耗散电流/mA静态30.026.1

电压增益/dBR

NF

＝220，f＝1kHz45.444.4

输出功率/WTHD＝10%，f＝1kHz1.94.0

总谐波失真100P

0

＝0.5W，f＝1kHz0.280.19

输出噪声电压/mVR

g

＝0，U

G

＝45dB0.24

注：+U

CC

＝+6V(LA4100)+U

CC

＝+9V(LA4102)R

L

＝8

(3)CW7805、CW7812、CW7912、CW317集成稳压器的主要参数

表27CW78，CW79，CW317参数

参数名称/单位CW7805CW7812CW7912CW317

输入电压/V+10+19-19

40

输出电压范围/V+4.75~+5.25+11.4~+12.6-11.4~-12.6+1.2~+37

最小输入电压/V+7+14-14

+3V

i

-V

o

+40

电压调整率/mV+3+3+30.02%/V

最大输出电流/A加散热片可达1A1.5