载流子迁移率

载流子迁移率

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2023年2月22日发(作者：各种各样的船)

SiGe层中载流子迁移率研究简况

莫铭

【期刊名称】《微电子学》

【年(卷),期】1993(23)5

【摘要】近些年来的研究结果认为,用Si_(1-x)Ge_x伪晶作成的异质结晶体管是采

用硅工艺制作的高速高频器件的最大竞争对手。它的发展速度很快,在很短的时间

内就从实验室内的珍品发展成为以硅工艺为基础的速度最快的双极晶体管,不仅设

计制成了n-p-n和p-n-p管,而且制成了Si_(1-x)Ge_x伪晶异质结晶体管(PHBT)

的集成电路,并获得满意的结果。采用二维漂移扩散(DD)模拟和一维流体学模拟

(HD)来分析这类晶体管的高频性能,证明它们的f_r为70GHz左右。

【总页数】2页(P60-60)

【关键词】SiGe;载流子;迁移率;晶体管

【作者】莫铭

【作者单位】

【正文语种】中文

【中图分类】TN322.2

【相关文献】

1.非均匀掺杂层的载流子平均迁移率及其应用[J],许居衍;王立模

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3.宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法[J],冯耀兰;宋安飞;张

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4.适用于宽温度范围和不同沟遭掺杂浓度的MOSFET反型层载流子迁移率模型

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