载流子浓度
-
2023年3月1日发(作者：口袋妖怪黑金手指)n型半导体P型半导体
低温弱电离区
0D
nn
E
F
0()ln
222
cD
D
F
C
EEkT
N
E
N
低温弱电离区
n
0
=0，p
0
=p
A
-
E
F
0()ln
224
VA
A
F
V
EEkT
N
E
N
n
0
、
1/2
0
0
()exp
22
cD
D
NN
E
n
kT
p
0
1/2
0
0
()exp
42
VA
A
NN
E
p
kT
P
0
2
00
/
i
pnn
≈0
n
0
2
00
/
i
nnp
≈0
/
中间电离区
0D
nn
E
F
0()ln
222
cD
D
F
C
EEkT
N
E
N
中间电离区
n
0
=0，p
0
=p
A
-
E
F
0()ln
224
VA
A
F
V
EEkT
N
E
N
n
0
、
1/2
0
0
()exp
22
cD
D
NN
E
n
kT
p
0
1/2
0
0
()exp
42
VA
A
NN
E
p
kT
P
0
2
00
/
i
pnn
n
0
2
00
/
i
nnp≈0
`
强电离区
n
0
=N
D
n
D
+≈N
D
E
F
c0
+lnD
F
c
N
EEkT
N
强电离区
n
0
=0，
p
0
=p
A
-=N
A
E
F
0
lnA
FV
V
N
EEkT
N
n
0
0D
nN
p
0
0A
pN
P
0
2
0
/
iD
pnN:
n
0
2
0
/
iA
nnN
过渡区
00
0
D
D
nnp
Np
E
F
02
D
Fi
i
N
EEkTarcsh
n
过渡区
p
0
=N
A
+n
0
E
F
；
02
A
Fi
i
N
EEkTarcsh
n
n
0
2
1/2
0
2
4
1(1)
2
i
D
D
n
N
n
N
N
D
>>n
i
2
0
=+/
DiD
nNnN
P
0
2
1/2
0
2
4
1(1)
2
i
A
A
n
N
p
N
/
N
A
>>
n
i
2
0
=+/
AiA
pNnN
N
D
< i 0i nn ： N A << n i 0i pn P 0 1 222 1/2 0 2 0 24 1(1)iii D D nnn p nN N N D >>n i 2 00 -=/ DiD pnNnN n 0 、 1 222 1/2 0 2 0 24 1(1)iii A A nnn n pN N N A >> n i 2 00 -=/ AiA npNnN N D < i 00 /2 DDii pnNNnn N A << n i 00 /2 AAii npNNnn 型n 半导 体和 p型半导体载流子浓度对照表> 高温本征激发 区n 0 =p 0 E F E F =E i 高温本征激发 区n 0 =p 0 E F E F =E i · n 0 n 0 =n i P 0 P 0 =n i P 0 P 0 =n i n 0 n 0 =n i