华为校招
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2023年2月12日发(作者：)华为硬件⼯程师社招机考题库_华为校招_硬件技术⼯程师机考
试题及答案
1.
(判断题
)
DRAM
上电时存储单元的内容是全
0,
⽽
Flash
上电时存储单元的内容是全
1
。(
4
分
)
A.
正确
B.
错误
FLASH
可保存
2.
(判断题
)
眼图可以⽤来分析⾼速信号的码间
⼲扰、抖动、噪声和衰减。(
4
分
)
A.
正确
B.
错误
3.
(判断题
)
以太⽹交换机将冲突域限制在每个
端
⼝，提⾼了⽹络性能。(
4
分
)
A.
正确
B.
错误
4.
(判断题
)
放⼤电路的输岀信号产⽣⾮线性失
真是由于电路中晶体管的⾮线性引起的。
(
4
分
)
A.
正确
B.
错误
5.
(判断题)
1
的
8
位⼆进制补码是
0000_0001,-1
的
8
位⼆进制补码是
1111_1111
。(
4
分
)
A.
正确
B.
错误
6.
(判断题
)
洗⾐机，电冰箱等家⽤电器都使⽤
三孔插座，是因为如果不接地，
家⽤电器是不
能⼯作的。(
4
分
)
A.
正确
B.
错误
7.
(判断题
)
⼗进制数据
0x5a
与
0xa5
的同或运算
结果为：
0x00
。(
4
分
)
A.
正确
B.
错误
8.
(判断题
)
硅⼆极管的正向导通压降⽐错⼆极
管
的⼤(
4
分
)
A.
正确
B.
错误
9.
(单选题
)
⼀空⽓平⾏板电容器，两级间距为
d
，充电后板间电压为
u
。然后将电源断开，
在平板间平⾏插⼊⼀厚度为
d/3
的⾦属板。此
时电容器原板间电压变为
(
4
分
)
A.
U/3
B.
2U/3
C.
3U/4
D.
不变
但电容的⼤⼩不是由
Q
(带电量)或
U
(电压)决定的，即：
C=
£
S/4
n
kd
。其中，£是⼀个常数，
S
为电容极
板的正
对⾯积，
d
为电容极板的距离，
k
则是静
电⼒常量。⽽常
见的平⾏板电容器
电容为
C=£S/d.(£为极板间介质的介电常数，
S
为极板⾯积，
d
为极板间的距离。)
3
电容器的电势能计算公式：
E=CU
A
2/2=QU/2
10.
(单选题
)
8086CPU
内部包括哪些单元(
4
分
)
A.
ALU,EU
B.
ALU,BIU
C.
EU,BIU
D.
ALU,EU,BIU
80x86
从功能上分执⾏单元
EU
(
ExecutionUnit
)，
和总
线接⼝单元
BIU
(
BusInterfaceUnit
)
，执⾏
单元由
8
个
16
位通⽤寄存器，
1
个
16
位标志寄存
器，
1
个
16
位暂
存寄存器，
1
个
16
位算术逻辑单
元
ALU
及
EU
控制电路组
成。
总线接⼝单元由
4
个
16
位段寄存器
(
CS,DS,SS,ES
)，
1
个
16
位的指令指针寄存器，
1
个与
EU
通信的内部暂存器，
1
个指令队列，
1
个计
算
20
位物理
地址的加法器⼑及总线控制电路构成。
11.
(单选题
)
为了避免
50Hz
的电⽹电压⼲扰放
⼤器，应该⽤那种滤波器：
(
4
分
)
A.
带阻滤波器
B.
带通滤波器
C.
低通滤波器
D.
⾼通滤波器
12.
(单选题
)
关于
SRAM
和
DRAM,
下⾯说话正
确的是：
(
4
分
)