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晶体缺陷(知识讲座)

发布时间:2023-12-18 作者:admin 来源:讲座

2023年12月18日发(作者:)

晶体缺陷(知识讲座)

2 晶体缺陷,固溶体合章

1、 说明以下符号的含义:

VNa,VNa’,VCl•,.(VNa’VCl•),CaK•,CaCa,Cai••

解:钠原子空位;钠离子空位,带一个单位负电荷;氯离子空位,带一个单位正电荷;最邻近的Na+空位、Cl-空位形成的缔合中心;Ca2+占据K.位置,带一个单位正电荷;Ca原子位于Ca原子位置上;Ca2+处于晶格间隙位置。

2、写出以下缺陷反应式:

(1)NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶体;

(2)CaCl2溶人NaC1中形成空位型固溶体;

(3)NaCl形成肖脱基缺陷;

(4)AgI形成弗仑克尔缺陷(Ag+进入间隙)。

解:〔1〕NaCl〔2〕CaCl2NaCa’+ ClCl + VCl·

CaNa· + 2ClCl + VNa’

〔3〕OVNa’ + VCl·

〔4〕AgAgVAg’ + Agi·

3、 弗仑克尔缺陷:晶体内部质点由于热起伏的影响,质点从正常位置位移到晶体内部的间隙位置上,正常位置上出现空位。

4、 什么是肖特基缺陷、弗兰克尔缺陷?他们属于何种缺陷,发生缺陷时位置数是否发生变化?

答:肖特基缺陷:晶体的结构基元,从正常的结点位置上位移到晶体的外表而正常位置上出现了空位,这种缺陷即是。位置数增殖,体积增大。

弗兰克尔缺陷:晶体结构中的结构基元,从正常的结点位置上位移到晶体的间隙位置上,而正常位置上出现了空位,这种缺陷即是。位置数不增殖,体积不增大。

5、 什么是非化学计量化合物:化合物原子数量的比例,不符合定比定律,即非简单的固定比例关系。

6、 ZrO2中加入Y2O3形成置换固溶体,写出缺陷反应式?

答:Y2O3 -(2ZrO2)-> 2Yzr‘+3Oo+Vo,Y2O3 -(2ZrO2)-> 2YZr3++2e+3Oo+Vo。。

7、 试写出少量MgO掺杂到Al2O3中和少量YF3掺杂到CaF2中的缺陷方程。〔a〕判断方程的合理性。〔b〕写出每一方程对应的固溶式。

解: 3MgO2MgOYF32YF3•22•+ +3OO 〔1〕

+2OO 〔2〕 +

YCa +Fi+2FF

〔3〕

2YCa +•+6FF

〔4〕

〔a〕书写缺陷方程首先考虑电价平衡,如方程〔1〕和〔4〕。在不等价置换时,3Mg2+ →2Al3+ ;2Y3+ →3Ca2+。这样即可写出一组缺陷方程。其次考虑不等价离子等量置换,如方程〔2〕和〔3〕2Mg2+ →2Al3+ ;Y3+ →Ca2+。这样又可写出一组缺陷方程。在这两组方程中,从结晶化学的晶体稳定性考虑,在离子晶体中除

1

萤石型晶体结构可以产生间隙型固溶体以外,由于离子晶体中阴离子紧密堆积,间隙阴离子或阳离子都会破坏晶体的稳定性。因而间隙型缺陷在离子晶体中〔除萤石型〕较少见。上述四个方程以〔2〕和〔3〕较合理。当然正确的判断必须用固溶体密度测定法来决定。

〔b〕(1)(2)

(3) (4)

8、 试写出以下缺陷方程〔每组写出二种〕,并判断是否可以成立,同时简单说明理由。

〔1〕

解:1、〔1〕

A、

B、

〔2〕

〔3〕

两种缺陷反应方程式为:

其中A可以成立,因为NaCl型的MgO晶体,只有较小的四面体空隙未被阳离子占据,Al3+离子填隙会破坏晶体的稳定性。

〔2〕

A、

B、

两种缺陷反应方程式为:

A、B两种都可能成立,其中在较低温度下,以A方式固溶;在高温下〔>1800℃〕,以B方式固溶。因为ZrO2为萤石型结构,在高温下具有较大的立方体和八面体空隙,能够形成填隙型缺陷。

〔3〕

A、

B、

两种缺陷反应方程式为:

A可能性较大。因萤石晶体中存较多的八面体空隙,F-离子半径较小,形成填隙型固溶体比较稳定。

9、 试述晶体结构中点缺陷的类型。以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。试举例写出CaCl2中Ca2+置换KCl中K+或进入到KCl间隙中去的两种点缺陷反应表示式。

解:晶体结构中的点缺陷类型共分:间隙原子、空位和杂质原子等三种。在MX晶体中,间隙原子的表示符号为MI或XI;空位缺陷的表示符号为:VM或VX。如果进入MX晶体的杂质原子是A,则其表示符号可写成:AM或AX〔取代式〕

2

以及Ai〔间隙式〕。

当CaCl2中Ca2+置换KCl中K+而出现点缺陷,其缺陷反应式如下:

CaCl2++2ClCl

CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为:

CaCl2+2 +2ClCl

10、在缺陷反应方程式中,所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么?

解:位置平衡是指在化合物MaXb中,M格点数与X格点数保持正确的比例关系,即M:X=a:b。电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷。质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。

11、TiO2-x和Fe1-xO分别为具有阴离子空位和阳离子空位的非化学计量化合物。试说明其导电率和密度随氧分压PO2变化的规律。〔以缺陷方程帮助说明〕

〔1〕TiO2-x的缺陷反应方程为:

根据质量守恒定律可得 ,故其密度随氧分压增加而增加,而电导率随氧分压的增加而减小,与氧分压的1/6次方成反比。

〔2〕Fe1-xO缺陷反应方程式为:

根据质量守恒定律可得 ,故其密度随氧分压增加而下降,而电导率随氧分压的增加而增加,与氧分压的1/6次方成正比。

12、 晶体结构中的热缺陷有 〔A〕 和 〔B〕 二类。

〔A〕肖特基缺陷,〔B〕弗伦克尔缺陷

13、当MgO加入到ZrO2晶格中形成固溶体时,试写出其缺陷反应方程式和对应的固溶式。

MgO加入到ZrO2晶格中形成固溶体时,其缺陷反应方程和对应的固溶式如下:

〔1〕低温: ,

〔2〕高温: ,

14、对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol,计算该晶体在1000K和1500K时的缺陷浓度。

解:根据热缺陷浓度公式:

exp〔-〕

由题意 △G=84KJ/mol=84000J/mol

则 exp〔〕

其中R=8.314J/mol·K

当T1=1000K时, exp〔〕= exp=6.4×10-3

当T2=1500K时, exp〔〕= exp=3.45×10-2

15、试写出在以下二种情况,生成什么缺陷?缺陷浓度是多少?〔a〕在Al2O3中,添加0.01mol%的Cr2O3,生成淡红宝石〔b〕在Al2O3中,添加0.5mol%

3

的NiO,生成黄宝石。

解:〔a〕在Al2O3中,添加0.01mol%的Cr2O3,生成淡红宝石的缺陷反应式为:

Cr2O3

=0.004%=4×10-3 % 生成置换式杂质原子点缺陷。其缺陷浓度为:0.01%×〔b〕当添加0.5mol%的NiO在Al2O3中,生成黄宝石的缺陷反应式为:

2NiO++2OO

=0.3 % 生成置换式的空位点缺陷。其缺陷浓度为:0.5%×16、 非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的分压,非化学计量化合物Fe1-xO及Zn1+xO的密度将发生怎样变化?增大?减少?为什么?

解:〔a〕非化学计量化合物Fe1-xO,是由于正离子空位,引起负离子过剩:

按质量作用定律,平衡常数

K=由此可得

[V]﹠

po21/6

即:铁空位的浓度和氧分压的1/6次方成正比,故当周围分压增大时,铁空位浓度增加,晶体质量减小,则Fe1-xO的密度也将减小。

〔b〕非化学计量化合物Zn1+xO,由于正离子填隙,使金属离子过剩:

根据质量作用定律

K=[得 [] [e′]2]po21/6

即:间隙离子的浓度与氧分压的1/6次方成反比,故增大周围氧分压,间隙离子浓度减小,晶体质量减小,则Zn1+xO的密度也将减小。

17、 非化学计量氧化物TiO2-x的制备强烈依赖于氧分压和温度:〔a〕试列出其缺陷反应式。〔b〕求其缺陷浓度表达式。

解:非化学计量氧化物TiO2-x,其晶格缺陷属于负离子缺位而使金属离子过剩的类型。

〔a〕缺陷反应式为:

2Ti Ti?/FONT>1O2↑→22++3OO

4

1O2↑

2〔b〕缺陷浓度表达式:

OO→+2e′+[ V]

18、〔a〕在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。 〔b〕如果MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。

解:〔a〕根据热缺陷浓度公式:

exp〔-〕

由题意 △G=6ev=6×1.602×10-19=9.612×10-19J

K=1.38×10-23 J/K

T1=25+273=298K T2=1600+273=1873K

298K:

exp

=1.92×10-51

1873K: exp=8×10-9

〔b〕在MgO中加入百万分之一的Al2O3杂质,缺陷反应方程为:

此时产生的缺陷为[ ]杂质。

]杂质 而由上式可知:[Al2O3]=[

∴当加入10-6 Al2O3时,杂质缺陷的浓度为

[]杂质=[Al2O3]=10-6

]热=8×10-9 由〔a〕计算结果可知:在1873 K,[显然: []杂质>[]热,所以在1873 K时杂质缺陷占优势。

19、、MgO的密度是克/厘米3,其晶格参数是,计算单位晶胞MgO的肖脱基缺陷数。

解:设有缺陷的MgO晶胞的晶胞分子数为x,晶胞体积V=(4.20)3,x=ρVN0/M=3.96,单位晶胞的肖脱基缺陷数。

20、MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol,计算该晶体在1000K和1500K的缺陷浓度。

解:n/N=exp(-E/2RT),,T=1000k:n/N=6.4×10-3;T=1500k:n/N=3.5×10-2。

21、非化学计量化合物FexO中,Fe3+/Fe2+,求FexO中的空位浓度及x值。

5

解:Fe2O32FeFe· + 3OO + VFe’’

y 2y y

Fe3+2yFe2+1-3yO,

X=1-y=1-0.0435=0.9565,FeO

[VFe’’]===2.22×10-2

22、非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的分压,非化学计量化合物Fe1-XO及Zn1+XO的密度将发生怎么样的变化?增大还是减小?为什么?

解:Zn(g)

Zni· + e’, Zn(g) + 1/2O2 = ZnO , Zni· + e’+ 1/2O2

ZnO , [ZnO]=[e’],

∴PO2

 [Zni·]

 ρ

O2(g)

OO + VFe’’ + 2h

k=[OO][ VFe’’][h·]/PO21/2=4[OO][ VFe’’]3/ PO21/2 , [ VFe’’] ∝PO2-1/6,

∴ PO2 [ VFe’’]

 ρ

23、对于刃位错和螺位错,区别其位错线方向、柏氏矢量和位错运动方向的特点。

解:刃位错:位错线垂直于,位错线垂直于位错运动方向;螺位错:位错线平b行于, 位错线平行于位错运动方向。

b24、有两个相同符号的刃位错,在同一滑移面上相遇,它们将是排斥还是吸引?

解:排斥,张应力重叠,压应力重叠。

25、晶界对位错的运动将发生怎么样的影响?能预计吗?

解:晶界对位错运动起阻碍作用。

26、晶界有小角度晶界与大角度晶界之分,大角度晶界能用位错的阵列来描述吗?

解:不能,在大角度晶界中,原子排列接近于无序的状态,而位错之间的距离可能只有一、两个原子的大小,不适用于大角度晶界。

27、试述影响置换型固溶体的固溶度的条件。

解:〔1〕原子或离子尺寸的影响,△r<15%时,可以形成连续固溶体;△r=15%~30%时,只能形成有限型固溶体;△r>30%很难或不能形成固溶体;△r愈大,固溶度愈小;〔2〕晶体结构类型的影响,只有两种结构相同和△r<15%时才是形成连续固溶体的充分必要条件;〔3〕离子类型和键性,相互置换的离子类型相同,化学键性质相近,容易形成固溶体体;〔4〕电价因素,不等价置换不易形成连续固溶体。

28、从化学组成、相组成考虑,试比较固溶体与化合物、机械混合物的差异。

解:

固溶体 机械混合物 化合物

6

形成原因 以原子尺寸“溶解”生成

相数 单相均匀

粉末混合

多相

/

原子间相互反映生成

单相均匀

遵守定比定律 化学计量 不遵守定比定律

化学组成 不确定

有几种混合物就有确定

多少化学组成

29、试阐明固溶体、晶格缺陷和非化学计量化合物三者之间的异同点,列出简明表格比较。

解:固溶体、晶格缺陷、非化学计量化合物都是点缺陷,是晶体结构缺陷,都是单相均匀的固体,结构同主晶相。

热缺陷——本征缺陷;固溶体——非本征缺陷;

分类

形成原因

形成缺陷反应

条件

化学式

溶解度、缺陷浓度

肖特热基

缺弗陷 伦克尔

·OVM’’+ Vx·

热T>MX

·MMMi·+

起0k MX

VM’’

只受温度控制

无限,有固限,溶置体

换,间隙

搀杂

溶解

大小,电负性

,电价,结构

无:受温度控制

有:搀杂量<固溶度 受温度控制

搀杂量>固溶度 受固溶度控制

非阳化缺

学阴计间

量阳环境中

气愤

Fe1-xO

UO2+x

Zn1+[h·]∝PO2-1/6

[Oi’’]

∝PO2-1/6

·[Zni·]

∝PO2-1/6

7

化间

合阴物 缺

性质和压力变化

·xO [VO·]

TiO2_∝PO2-1/6

x

30、 Al2O3在MgO中形成有限固溶体,在低共熔温度1995℃时,约有18重量%Al2O3溶入MgO中,假设MgO单位晶胞尺寸变化可忽略不计。试预计以下情况的密度变化。

(a) O2-为填隙离子。

(b) A13+为置换离子。

解:设AL2O3、MgO总重量为100g,则AL2O318g,MgO82g,

溶入MgO中AL2O3的mol数:AL2O3 mol%==0.08=8%, MgO

mol%=1-8%=92%,固溶体组成:8% AL2O3,92%MgO,固溶体组成式:AlMgO

(a) AL2O32ALMg· + 2OO + Oi’’

X 2x x 固溶体化学式:Al2xMg1-2xO1+x

将化学式与组成式一一对应,求出待定参数x,由于O2-的量不同,将O2-的量化为1

AlMgOAl2x/1+xMg1-2x/1+xO,化学式AlMgO

d理想=

〔b〕AL2O3 x 2x x

Al2xMg1-AlMgO

3xO

x=

2ALMg· + 3OO + OMg’’

AlMgO

31、对磁硫铁矿进行化学分析:按分析数据的Fe/S计算,得出两种可能的成分:Fe1-xS 和FeS1-x。前者意味着是Fe空位的缺陷结构;后者是Fe被置换。设想用一种实验方法以确定该矿物究竟属哪一类成分。

解:Fe1-xS中存在Fe空位,VFe’’非化学计量,存在h· P型半导体;FeS1-x中金属离子过剩,存在S2-空位,存在e’,N型半导体;因Fe1-xS、FeS1-x分属不同类型半导体,通过实验确定其半导体性质即可。

8

32、说明为什么只有置换型固溶体的两个组份之间才能相互完全溶解,而填隙型固溶体则不能。

〔1〕晶体中间隙位置是有限的,容纳杂质质点能力≤10%;〔2〕间隙式固溶体的生成,一般都使晶格常数增大,增加到一定的程度,使晶格变得不稳定而离解;置换固溶体形成是同号离子交换位置,不会对接产生影响,所以可形成连续固溶体。

33、如果(1)溶剂和溶质原子的原子半径相差超过±15%;(2)两元素的电负性相差超过%,通常这一对元素将不利于形成置换型固溶体,其中前一因素往往起主导作用。

仅根据提供的资料提出哪一对金属大概不会形成连续固溶体:Ta—W,Pt—Pb.Co一Ni,Co—Zn,Ti—Ta。

原子半径

金属 晶体结构 金属 原子半径 (nm) 晶体结构

(nm)

六方 (<883 ℃ ) 六方

Ti 0.1461 Zn 0.1332

体心立方 (>883 ℃ )

Ta

体心立方

0.1430

六方 (<427 ℃ ) 体心立方

Co 0.1251 W 0.1370

面心立方 (~427 ℃ )

Pt

面心立方

0.1387

面心立方 面心立方

Ni 0.1246 Pd 0.1750

解:

r大-r小/ r大=4.2%<15%

电负性:1.5-1.7=-0.2

结构类型:体心立方 相同

r大-r小/ r大=20.7%>15%

电负性差=2.2-2.2=0

结构类型:面心立方

Ta—W

形成连续固溶体

Pt—Pd

形成有限固溶体

Co—Ni

r大-r小/ r大=0.4%<15%

电负性差:

1.8-1.6=0.2

可形成连续固溶体

当T<427℃,Co Zn结构类型相同

r大-r小/ r大=2.12%<15%

电负性差

可形成连续固溶体

=1.5-1.5=0

当T>883℃,Ti Ta9

Ti—Ta

结构类型相同

34、对于MgO、Al2O3,和Cr2O3,其正、负离子半径比分别为、和,则A1203和Cr23形成连续固溶体。

(a)这个结果可能吗?为什么?

(b)试预计,在MgO—Cr2O3系统中的固溶度是有限的还是无限的?为什么?

解:〔a〕∵r大-r小/ r大=10%<15%,∴AL2O3和Cr2O3能形成连续固溶体;

〔b〕MgO—Cr2O3中,r大-r小/ r大=15%,加之两者结构不同,∴固溶度是有限的。

35、某种NiO是非化学计量的,如果NiO中Ni3+/Ni2+=10-4,问每m3中有多少载流子。

解:设非化学计量化合物为NixO,

Ni2O32NiNi· + 3OO + VNi’’

y 2y y Ni3+2yNi2+1-3yONi3+/Ni2+=2y/(1-3y)=10-x

则y=5×10-5,,Ni

每m3中有多少载流子即为空位浓度:[VNi’’]=y/(1+x)=2.5×10-5。

36、在MgO-Al2O3和PbTiO2-PbZrO3中哪一对形成有限固溶体,哪一对形成无限固溶体,为什么?

解:MgO-AL2O3:r大-r小/ r大=15%,即rMg、rAl半径相差大,MgO〔NaCl型〕、AL2O3〔刚玉〕结构类型差异大,形成有限固溶体;

PbTiO3-PbZrO3形成无限固溶体,因为尽管Ti4+、Zr4+半径相差较大〔15. 28〕,但都是〔ABO3〕钙钛矿型结构,Ti4+、Zr4+都填充八面体空隙,该空隙体积较大,可填入的阳离子的半径r值可在一定范围内变化,而不至于使结构变化。

37、〔1〕A12O3晶体中掺入x mo1%NiO和y mo1%Cr2O3可得人造黄玉,试写出缺陷反应方程式〔置换型固溶体〕以及掺杂A12O3的化学式。

〔2〕非化学计量化合物TiOx中,Ti3+/Ti4+,求TiOx中的x值。〔10分〕

解:〔1〕A12O3晶体中掺入NiO和Cr2O3的置换型缺陷反应为:

故掺入x mo1%NiO和y mo1%Cr2O3的A12O3的化学式为

〔2〕TiOx缺陷方程为:

故固溶式可写成

由Ti3+/Ti4+知道,解得

于是TiOx中的x值为:

68 一块金黄色的人造黄玉,化学分析结果认为,是在Al2O3中添加了0.5mol%NiO和0.02mol% Cr2O3。试写出缺陷反应方程〔置换型〕及化学式。

解:NiO和Cr2O3固溶入Al2O3的缺陷反应为:

10

2NiOCr2O32+ +2OO

固溶体分子式为:Cr

取1mol试样为基准,则

m=0.005 ; m

=1--= =0.0002 ; m∵ 2NiO →2Al2

O3

Cr2

O3

→Al2

O3

∴取代前Al2O3所占晶格为:

++=0.9975mol (Al2O3)

取代后各组分所占晶格分别为:

Al2O3: mol NiO: mol Cr2

O3:

mol

∴取代后,固溶体的分子式为:

0.9973 Al2O3·0.005 NiO ·0.0002 Cr2

O3

或AlNi Cr0.0004

O

∴x

1.9946=2--0.0004=2-x-y

2.9975=3-x

39、 什么是刃位错、螺旋位错?试比较刃型位错和螺型位错的异同点。

答:刃位错:在位错线附近原子失去正常有规律排列,并滑移一段距离,由此产生的缺陷即是。

螺旋位错:在位错线附近原子失去正常有规律排列,产生螺旋位移,这种缺陷即是。

刃型位错和螺型位错的异同点见表4-1所示。

表4-1 刃型位错和螺型位错的异同点

与柏格斯矢量的位b刃型位错

柏格斯矢量与刃性位错b螺型位错

柏格斯矢量与螺型位错线b置关系

位错分类

位错是否引起晶体畸变和形成应力场

线垂直

刃性位错有正负之分

引起晶体畸变和形成应力场,且离位错线越远,晶格畸变越小

平行

螺形位错分为左旋和右旋

引起晶体畸变和形成应力场,且离位错线越远,晶格畸变越小

11

位错类型 只有几个原子间距的线缺陷

只有几个原子间距的线缺陷

40、 说明非化学计量化合物与无限固溶体的异同;

解:1、非化学计量化合物与无限固溶体的共同点:〔1〕都属于晶体结构缺陷中的点缺陷;〔2〕相组成均为均匀单相。

不同之处在于:〔1〕形成原因不同。非化学计量化合物由气氛性质和压力变化引起,而无限固溶体则由掺杂溶解而引起。〔2〕形成条件不同。前者只有变价元素氧化物在氧化或复原气氛中才能形成,而后者则需满足离子半径和电负性差值较小、保持电中性、结构相同等条件才能形成。〔3〕组成范围不同。前者的组成变化范围很小,而后者可以在整个组成范围内变化。

41、、简述形成连续置换型固溶体的条件是什么?并举一实例。

答:形成连续置换型固溶体的条件:

〔1〕离子尺寸因素。相互替代的两离子尺寸应满足

〔2〕晶体结构类型相同。

〔3〕相互替代的两个离子电价相同或复合替代离子电价总和相同。

〔4〕相互替代的两个离子电负性相近。

例如:

,固溶式为:Mg1-xNixO〔x=0~1〕

42、非化学计量化台物Cdl-xO由于在化学组成上偏离化学计量而产生的晶格缺陷是 。b

a.阴离子空位 b.阳离子空位 c.阴离子填隙 d.阳离子填隙

43、在以下几类晶体甲,形成间隙型固溶体的次序是 。a

a.沸石>CaF2>TiO2>MgO b.MgO>TiO2>CaF2>沸石

c.CaF2>TiO2>MgO>沸石 d.TiO2>MgO>CaF2>沸石

44、Na2O·CaO·A12O3·3SiO2玻璃的四个结构参数为b

a. Z=4、、X=1、Y=3 b.Z=4、、、

c.Z=3、、X=1、Y=3 d.Z=3、、、

45、由于〔A〕的结果,必然会在晶体结构中产生"组分缺陷",组分缺陷的浓度主要取决于:〔B〕和〔C〕。

〔A〕不等价置换〔B〕掺杂量〔C〕固溶度

46、说明影响置换型固溶体形成的因素有哪些?

答: 影响因素:(1)离子尺寸:15%规律:1.(R1-R2)/R1>15%不连续。2.<15%连续。3.>40%不能形成固熔体。(2)离子价:电价相同,形成连续固熔体。 ( 3)晶体结构因素:基质,杂质结构相同,形成连续固熔体。(4)场强因素。(5)电负性:差值小,形成固熔体。差值大形成化合物。

47、 ZnO是六方晶系,,,每个晶胞中含2个ZnO分子,测得晶体密度分别为,5.606 g/cm3,求这两种情况下各产生什么型式的固溶体?

解:六方晶系的晶胞体积

V==cm3

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在两种密度下晶胞的重量分别为

W1=d1v=5.74×4.73×10-23=2.72×10-22(g)

W2=d2v=5.606×4.73×10-23=2.65×10-22(g)

理论上单位晶胞重

W=(g)

∴密度是d1时为间隙型固溶体,是d2时为置换型固溶体。

48、 对于MgO、Al2O3和Cr2O3,其正、负离子半径比分别为、和。Al2O3和Cr2O3形成连续固溶体。 (a) 这个结果可能吗?为什么? (b) 试预计,在MgO-Cr2O3系统中的固溶度是有限还是很大?为什么?

解:〔a〕Al2O3与Cr2O3有可能形成连续固溶体。因为:

①==10%<15%

②结构类型相同,均属刚玉型结构。

〔b〕对于MgO-Cr2O3系统,由于结构类型相差较大,前者为NaCl型,后者为刚玉型。虽然==14.89%<15%,也不可能形成完全互溶的固溶体,而只能是有限固溶。

49、 Al2O3在MgO中将形成有限固溶体,在低共熔温度1995℃时,约有18wt%

Al2O3溶入MgO中,MgO单位晶胞尺寸减小。试预计以下情况下密度的变化。(a)

Al3+为间隙离子, (b) Al3+为置换离子。

解:(a) Al3+为间隙离子:

缺陷反应为: 〔1〕

固溶式分子式:〔b〕Al3+为置换离子:

缺陷反应为:+ 〔2〕

〔3〕固溶式分子式: 〔4〕取100g试样为基准:〔为摩尔数〕

m===0.176 (m为摩尔数)mMgO===

∴MgO中固溶18%wt的Al2O3后的分子式为:

2.035 MgO·0.176 Al2O3或MgAlO (5)

〔5〕式各项除以得MgAlO (6)

由〔6〕式得x代入〔2〕〔4〕式,

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对〔a〕有〔b〕有MgAlO

即MgAlO

设:固溶前后晶胞体积不变,则密度变化为:

〔,分别代表固溶前后密度〕

所以,固溶后的密度小于固溶前的密度。

50、 用0.2mol YF3加入CaF2中形成固溶体,实验测得固溶体的晶胞参数,测得固溶体密度ρ=/cm3,试计算说明固溶体的类型?〔元素的相对原子质量:;;〕

解:YF3加入CaF2的缺陷反应方程如下:

YF32YF3Y +F+2FF

(1)

2Y +V +6FF (2)

方程〔1〕和〔2〕的固溶式:(1)Ca1-xYxF2+x (2) Ca(1-3/2x)YxF2

按题意代入上述固溶式得:间隙型固溶体分子式为CaYF2..2

置换型固溶体分子式为CaYF2;它们的密度分别设为ρ1和ρ2。CaF2是萤石型晶体,单位晶胞内含有4个萤石分子。

ρ1=〔g/cm3〕

ρ2=〔g/cm3〕

由ρ1与ρ2计算值与实测密度3比较,ρ1值接近3,因此0.2mol YF3加入CaF2中形成间隙型固溶体。

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晶体缺陷(知识讲座)

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