体缺陷
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2023年2月27日发(作者：明星志愿2).
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晶体缺陷及其对材料性能的影响
摘要:所有的天然和人工晶体都不是理想的完整晶体，它们的许多性质往往并不
决定于原子的规则排列，而决定于不规则排列的晶体缺陷。晶体缺陷对晶体生长、
晶体的力学性能、电学性能、磁学性能和光学性能等均有着极大影响，在生产上
和科研中都非常重要，是固体物理、固体化学、材料科学等领域的重要基础内容。
研究晶体缺陷因此具有了尤其重要的意义。本文着重对晶体缺陷及其对晶体的影
响和应用进行阐述，以适应人们不同的实际需要和时代的发展需求。
关键词:晶体缺陷;性能
Crystaldefectandit’sinfluenceonthematerialproperties
AbstractAllofthenaturalandartificialcrystalisnotidealcompletecrystal,m
anyoftheirpropertiesarenotalwaysdecidetotherulesofatomstoarrange,b
ldefecthavean
enormousinfluencetocrystalgrowth,mechanicalpropertiesofcrystal,electrical
properties,magneticpropertiesandopticalproperties,etc,theyareveryimportant
intheproductionandresearch,isresearchint
hefieldofcrystaldefect,suchassolidphysics,chemistry,materialscience,andso
rtoadaptt
perfocusesonexpoundingtheinfluenceandtheapplicationofthec
rystaldefectanditsimpactonthecrystal.
Keywordcrystaldefectproperty
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1.引言
很早以前,金属物理学家在研究金属的加工变形时就发现了晶体缺陷与金属的变形行
为及力学性质有密切的关系。后来,材料科学家发现这类缺陷不仅控制着材料的力学性状,
而且对材料的若干物理性质(如导电性、导热性等)有直接的影响,故在冶金物理学和材料科
学领域里逐渐发展了晶体缺陷理论。在地学界,近10多年来人们开始认识到晶体的塑性变形
完全取决于晶体缺陷,即矿物岩石在塑性流动过程中晶体缺陷起着控制性的作用。70年代随
着离子减薄技术的应用,为电子显微镜作为倍数极高的矿物岩相学观察工具提供了先决条
件,也为天然变形矿物晶体缺陷和塑性流动的研究开辟了新的途径。然而,目前晶体缺陷在
地质科学中的应用研究成果还很少,主要以金属中的为主。众所周知,晶体是由离子、原子
或分子有规律地排列而构成的,这种晶体称为完整晶体。但是,在实际晶体中,晶体质点的
规律排列或多或少会在某些微区遭到破坏,称为晶体缺陷。根据缺陷在晶体中分布的几何特
点,可将其分为3大类,即点缺陷、线缺陷和面缺陷。如果这些缺陷是在晶体生长过程中产生
的,称为生长缺陷;如果是在应力作用下晶体发生变形时产生的,则称为变形晶体缺陷。一
般来说,生长缺陷的密度与形成时的环境有关,变形引起的晶体缺陷的密度与变形时作用力
的大小有密切的关系;生长缺陷的密度一般比较低,而变形晶体缺陷的密度较高且普遍存
在。
2.晶体缺陷的定义和分类
(1)晶体缺陷的定义
在讨论晶体结构时，我们认为晶体的结构是三维空间内周期有序的，其内部
质点按照一定的点阵结构排列。这是一种理想的完美晶体，它在现实中并不存在，
只作为理论研究模型。相反，偏离理想状态的不完整晶体，即有某些缺陷的晶体，
具有重要的理论研究意义和实际应用价值。在理想的晶体结构中，所有的原子、
离子或分子都处于规则的点阵结构的位置上，也就是平衡位置上。1926年Frenkel
首先指出，在任一温度下，实际晶体的原子排列都不会是完整的点阵，即晶体中
一些区域的原子的正规排列遭到破坏而失去正常的相邻关系。我们把实际晶体中
偏离理想完整点阵的部位或结构称为晶体缺陷。
(2)晶体缺陷的分类
按缺陷的几何形态分类可分为四类：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷。
1.点缺陷（零维缺陷）
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缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。包
括空位（vacancy）、间隙原子（interstitialparticle）、异类原子（foreignparticle）。
点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关。
2..线缺陷（一维缺陷）
指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺
陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。包括螺型位错与刃型位错等各类
位错，线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。
3.面缺陷
面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则
性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。包
括晶界、相界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。面缺陷的取向及分布与材料的断
裂韧性有关。
4.体缺陷
也称为三维缺陷，指晶体中在三维方向上相对尺度比较大的缺陷，和基质晶
体已经不属于同一物相，是异相缺陷。固体材料中最基本和最重要的晶体缺陷是点缺陷，
包括本征缺陷和杂质缺陷等。
按缺陷产生的原因分类：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷、其它原因（如
电荷缺陷，辐照缺陷等）。
1.热缺陷热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质
点（原子或离子）。
类型:弗仑克尔缺陷（Frenkeldefect）和肖脱基缺陷（Schottkydefect）
热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时，热缺陷浓度增加
2.杂质缺陷
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定义:亦称为组成缺陷，是由外加杂质的引入所产生的缺陷。
特征:如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围内，则杂质缺陷的浓度与温度无关。
3.非化学计量缺陷
定义:指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。它是由基质晶体与介质中
的某些组分发生交换而产生。
特点:其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而变化。
3．晶体缺陷对材料性能的影响
（1）点缺陷对材料性能的影响
晶体中点缺陷的不断无规则运动和空位与间隙原子不断产生与复合是晶体
中许多物理过程如扩散、相变等过程的基础。空位是金属晶体结构中固有的点缺
陷，空位会与原子交换位置造成原子的热激活运输，空位的迁移直接影响原子的
热运输，从而影响材料的电、热、磁等工程性能。晶体中点缺陷的存在一方面造
成点阵畸变，使晶体内能升高，增加了晶体热力学不稳定性，另一方面增大了原
子排列的混乱程度，改变了周围原子的振动频率。使熵值增大使晶体稳定。矛盾
因素使晶体点缺陷在一定温度下有一定平衡数目。在一般情形下，点缺陷主要影
响晶体的物理性质，如比容、比热容、电阻率等。
1.比容:为了在晶体内部产生一个空位，需将该处的原子移到晶体表面上的
新原子位置，导致晶体体积增大
2．比热容:由于形成点缺陷需向晶体提供附加的能量（空位生成焓），因而
引起附加比热容。
3．电阻率:金属的电阻来源于离子对传导电子的散射。在完整晶体中，电子
基本上是在均匀电场中运动，而在有缺陷的晶体中，在缺陷区点阵的周期性被破
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坏，
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电场急剧变化，因而对电子产生强烈散射，导致晶体的电阻率增大。
4.密度的变化：对一般金属，辐照引起体积膨胀，但是效应不明显，一般
变化很少超过0.1~0.2%，这种现象可以用弗仑克尔缺陷来描述
5.电阻：增加电阻，晶体点阵的有序结构被破坏，使原子对自由电子的散
射效果提升。一般可以通过电阻分析法莱追踪缺陷浓度的变化
6．晶体结构：辐照很显著地破坏了合金的有序度，而且一些高温才稳定的
相结构可以保持到室温
7．力学性能：辐照引起金属的强化和变脆（注，空位使晶格畸变类似置换
原子引起的）。
此外，点缺陷还影响其他物理性质，如扩散系数，内耗，介电常数等，在碱
金属的卤化物晶体中，由于杂质或过多的金属离子等点缺陷对可见光的选择性吸
收，会使晶体呈现色彩，这种点缺陷称为色心。
（2）线缺陷对材料性能的影响
位错是一种及重要的晶体缺陷，他对金属的塑性变形，强度与断裂有很重要
的作用，塑性变形就其原因就是位错的运动，而强化金属材料的基本途径之一就
是阻碍位错的运动，另外，位错对金属的扩散、相变等过程也有重要影响。所以
深入了解位错的基本性质与行为，对建立金属强化机制将具有重要的理论和实际
意义。金属材料的强度与位错在材料受到外力的情况下如何运动有很大的关系。
如果位错运动受到的阻碍较小，则材料强度就会较高。实际材料在发生塑性变形
时，位错的运动是比较复杂的，位错之间相互反应、位错受到阻碍不断塞积、材
料中的溶质原子、第二相等都会阻碍位错运动，从而使材料出现加工硬化。因此，
要想增加材料的强度就要通过诸如：细化晶粒（晶粒越细小晶界就越多，晶界对
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位错的运动具有很强的阻碍作用）、有序化合金、第二相强化、固溶强化等手段
使金属的强度增加。以上
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增加金属强度的根本原理就是想办法阻碍位错的运动。
（3）面缺陷对材料性能的影响
1.面缺陷的晶界处点阵畸变大，存在晶界能，晶粒长大与晶界平直化使晶
界米面积减小，晶界总能量降低，这两过程通过原子扩散进行，随温度升高与保
温时间增长，有利于这两过程的进行。
2.面缺陷原子排列不规则，常温下晶界对位错运动起阻碍作用，塑性变形
抗力提高，晶界有较高的强度和硬度。晶粒越细，材料的强度越高，这就是细晶
强化，而高温下刚好相反，高温下晶界又粘滞性，使相邻晶粒产生相对滑动。
3.面缺陷处原子偏离平衡位置，具有较高的动能，晶界处也有较多缺陷，
故晶界处原子的扩散速度比晶内快
4.固态相变中，晶界能量较高，且原子活动能力较大，新相易于在晶界处
优先形核，原始晶粒越细，晶界越多，新相形核率越大。
5．由于成分偏析和内吸附现象，晶界富集杂质原子情况下，晶界熔点低，
加热过程中，温度过高引起晶界熔化与氧化，导致过热现象。
6.晶界处能量较高，原子处于不稳定状态，及晶界富集杂质原子的缘故，
晶界腐蚀速度较快。
（4）缺陷对半导体性能的影响
硅、锗等第4族元素的共价晶体绝对零度时为绝缘体，温度刀·高导电率增
加但比金属的小得多，称这种晶体为半导体。晶体呈现半导体性能的根本原因是
填满电子的最高能带与导带之间的禁带宽度很窄，温度升高部分电子可以从满带
跃迁到导带成为传导电子。晶体的半导体性能决定于禁带宽度以及参与导电的载
流子(电子或空穴)数目和它的迁移率。缺陷影响禁带宽度和载流子数目及迁移率，
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因而对晶体的半导体性能有严重影响。
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1.缺陷对半导体晶体能阶的影响
硅和锗本征半导体的晶体结构为金刚石型。每个原子与四个近邻原子共价结
合。杂质原子的引入或空位的形成都改变了参与结合的共价电子数目，影响晶体
的能价分布。
有时为了改善本征半导体的性能有意掺入一些三、五族元素形成掺杂半导
体；而其他点缺陷如空位或除三，五族以外的别的杂质原子原则上也会形成附近
能阶。位错对半导体性能影响很大，但目前只对金钢石结构的硅、锗中的位错了
解得较多一点。
2.缺陷对载流子数目的影响
点缺陷使能带的禁带区出现附加能阶，位错本身又会起悬浮键作用，它起着
施主或受主的作用，另外位错俘获电子使载流子数目减少，所以半导体中实际载
流子数目减少。
由于晶体缺陷对半导体材料的影响，故可以在半导体材料中有以下应用
1.过量的Zn原子可以溶解在ZnO晶体中，进入晶格的间隙位置，形成间隙型
离子缺陷，同时它把两个电子松弛地束缚在其周围，对外不表现出带电性。但这
两个电子是亚稳定的，很容易被激发到导带中去，成为准自由电子，使材料具有
半导性。
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3O4晶体中，全部的Fe2+离子和1/2量的Fe3+离子统计地分布在由氧离子
密堆所构成的八面体间隙中。因为在Fe2+—Fe3+—Fe2+—Fe3+—……之间
可以迁移，Fe3O4是一种本征半导体。
3.常温下硅的导电性能主要由杂质决定。在硅中掺入VA族元素杂质（如P、As、
Sb等）后，这些VA族杂质替代了一部分硅原子的位置，但由于它们的最外层
有5个价电子，其中4个与周围硅原子形成共价键，多余的一个价电子便成了可
以导电的自由电子。这样一个VA族杂质原子可以向半导体硅提供一个自由电子
而本身成为带正电的离子，通常把这种杂质称为施主杂质。当硅中掺有施主杂质
时，主要靠施主提供的电子导电，这种依靠电子导电的半导体被成为n型半导体。
4.在BaTiO3陶瓷中，人们常常加入三价或五价杂质来取代Ba2+离子或Ti4+离子
来形成n型半导瓷。例如，从离子半径角度来考虑，一般使用的五价杂质元素的
离子半径是与Ti4+离子半径（0.064nm）相近的，如Nb5+=0.069nm，Sb5+=0.062nm，
它们容易替代Ti4+离子；或者使用三价元素，如La3+=0.122nmCe3+=0.118nm，
Nd3+=0.115nm，它们接近于Ba2+离子的半径（0.143nm），因而易于替代Ba2+
离子。由此可知，不管使用三价元素还是五价元素掺杂，结果大都形成高价离子
取代，即形成n型半导体。
（5）位错对铁磁性的影响
只有过渡族元素的一部分或其部分化合物是铁磁性材料。物质的铁磁性要经
过外磁场的磁化作用表现出来。能量极小原理要求磁性物质是由磁矩取向各异的
磁畴构成。一般说来加工硬化降低磁场H的磁化作用，磁畴不可逆移动开始的磁
场Ho(起始点的磁场强度)升高，而加工则使物质的饱和磁化强度降低。
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4结语
缺陷对物理性能的影响很大，可以极大的影响材料的导热，电阻，光学，和
机械性能，极大地影响材料的各种性能指标，比如强度，塑性等。化学性能影响
主要集中在材料表面性能上，比如杂质原子的缺陷会在大气环境下形成原电池模
型，极大地加速材料的腐蚀，另外表面能量也会受到缺陷的极大影响，表面化学
活性，化学能等等。其实正是有了缺陷金属材料才能有着我们需要的良好的使用
性能，比如人工在半导体材料中进行掺杂，形成空穴，可以极大地提高半导体材
料的性能。总之影响非常大，但是如果合理的利用缺陷，可以提高材料某一方面
的性能，
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