
全国中学生物理竞赛
-
2023年2月13日发(作者:)第届全国中学生物理竞
赛预赛试题及参考答案
Coca-colastandardizationoffice【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
第32届全国中学生物理竞赛预赛试卷
1~5678总分
9101112
13141516
本卷共16题,满分200分.
一、选择题.本题共5小题,每小题6
分.在每小题给出的4个选项中,有的小题
只有一项符合题意,有的小题有多项符合题意。把符合题意的
选项前面的英文字母写在每小题后面的方括号内.全部选对的
得6分,选对但不全的得3分,有选错或不答的得0分.
1.2014年3月8日凌晨2点40分,马来西亚航空公司一架波
音777-200飞机与管制中心失去联系.2014年3月24日晚,
初步确定失事地点位于南纬31o52′、东经115o52′的澳
大利亚西南城市珀斯附近的海域.有一颗绕地球做匀速圆周
运动的卫星,每天上午同一时刻在该区域正上方对海面拍
照,则
A.该卫星一定是地球同步卫星
B.该卫星轨道平面与南纬31o52′所确定的平面共面
C.该卫星运行周期一定是地球自转周期的整数倍
D.地球自转周期一定是该卫星运行周期的整数倍
(铀核)衰变为222
88Rn(氡核)要经过
得
分
阅卷复
核
次α衰变,16次β衰变次α衰变,4次β衰
变
次α衰变,16次β衰变D.4次α衰变,4次
β衰变
3.如图,一半径为R的固定的光滑绝缘圆环,位于竖
直平面内;环上有两个相同的带电小球a和b(可视为
质点),只能在环上移动,静止时两小球之间的距离
为R。现用外力缓慢推左球a使其到达圆环最低点
c,然后撤除外力.下列说法正确的是
A.在左球a到达c点的过程中,圆环对b球的支持力变大
B.在左球a到达c点的过程中,外力做正功,电势能增加。
C.在左球a到达c点的过程中,a、b两球的重力势能之和不
变
D.撤除外力后,a、b两球在轨道上运动过程中系统的能量守
恒
4.如图,O点是小球平抛运动抛出点;在O点有一个
频闪点光源,闪光频率为30Hz;在抛出点的正前
方,竖直放置一块毛玻璃,小球初速度与毛玻璃平
面垂直.在小球抛出时点光源开始闪光.当点光源
闪光时,在毛玻璃上有小球的一个投影点.已知图
中O点与毛玻璃水平距离L=1.20m,测得第一、二个投影点
之间的距离为0.05m.取重力加速度g=10m/s2.下列说法正
确的是
A.小球平抛运动的初速度为4m/s
B.小球平抛运动过程中,在相等时间内的动量变化不相等
C.小球投影点的速度在相等时间内的变化量
越来越大
D.小球第二、三个投影点之间的距离0.15m
5.某同学用电荷量计(能测出一段时间内通过导
体横截面的电荷量)测量地磁场强度,完成了
如下实验:如图,将面积为S,电阻为\"的矩形导线框abcd沿
图示方位水平放置于地面上某处,将其从图示位置绕东西轴
转180o,测得通过线框的电荷量为Q1;将其从图示位置绕东
西轴转90o,测得通过线框的电荷量为Q2.该处地磁场的磁
感应强度大小应为
A.2
2
2
1
4
Q
Q
S
R
B.2
2
2
1
S
R
C.2
221
2
1
2
QQQ
Q
S
R
D.
2
221
2
1
QQQQ
S
R
二、填空题.把答案填在题中的横线上.只要给出结果,不
需写出求得结果的过程.
6.(10分)水平力F方向确定,大小随时间
的变化如图a所示;用力F拉静止在水平桌
面上的小物块,在F从0开始逐渐增大的过程中,物块的加速
度a随时间变化的图象如图b所示.重力加速度大小为
10m/s2。由图示可知,物块与水平桌面间的最大静摩擦力
为;物块与水平桌面间的动摩擦因数为;在
0~4s时间内,合外力做的功为。
得
分
阅卷复
核
7.(10分)如图,物块
A、C置于光滑水平桌面
上,通过轻质滑轮和细绳悬挂物块B,物块
A、B的质量均为2kg,物块C的质量为1kg,重力加速度大小
为10m/s2。
(1)若固定物块C,释放物块A、B,则物块A、B的加速度之
比为;细绳的张力为。
(2)若三个物块同时由静止释放,则物块A、B和C加速度之
比为。
8.(10分)2011年8月中国发射的宇宙飞
船“嫦娥二号”在完成探月任务后,首次从
绕月轨道飞向日地延长线上的拉格朗日点,在该点,“嫦娥二
号”和地球一起同步绕太阳做圆固运动.已知太阳和地球的质
量分别为MS和ME,日地距离为R.该拉格朗日点离地球的距离
x满足的方程为,由此解得x
≈·(已知当λ< 得 分 阅卷复 核 得 分 阅卷复 核 9.(10分)在“利用电流传感器(相当于理 想电流表)测定干电池电动势和内阻”的实验 中,某同学利用两个电流传感器和定值电阻R0=2000Ω以及滑 动变阻器,设计了如图a所示的电路,进行实验.该同学测出 的实验数据如下表所示 12345 I1/mA1.351.301.201.101.05 I2/A0.300.400.600.800.90 表中I1和I2分别是通过电流传感器1和2的电流.该电流的 值通过数据采集器输入到计算机,数据采集器和计算机对原电 路的影响可忽略. (1)在图b中绘出I1~I2图线; (2)由I1~I2图线得出,被测电池的电动势为V,内阻为 Ω 得 分 阅卷复 核 10.(10分)某金属材料发生光电效应的 最大波长为λ0,将此材料制成一半径为R的 圆球,并用绝缘线悬挂于真空室内.若以波长为λ(λ<λ0)的 单色光持续照射此金属球,该金属球发生光电效应所产生光电 子的最大初动能为,此金属球可带的电荷量最多 为,(设无穷远处电势为零,真空中半径为r 带电量为q的导体球的电势为U=k r q .) 得 分 阅卷复 核 三、计算题。计算题的解答应写出必要的文字说明、方程式 和重要的演算步骤,只写出最后结果的不能得分.有数值计算 的,答案中必须明确写出数值和单位. 11.(20分)某机场候机楼外景如图a所 示。该候机楼结构简化图如图b所示:候机 楼侧壁是倾斜的,用钢索将两边斜壁系住,在钢索上有许多竖 直短钢棒将屋面支撑在钢索上.假设海边斜壁的质量为m,质 量分布均匀;钢索与屋面(包括短钢棒)的总质量为 2 m ,在地面 处用铰链与水平地面连接,钢索固定于斜壁上端以支撑整个屋 面,钢索上端与斜壁的夹角为30o;整个系统左右对称.求 (1j斜壁对钢索的拉力的大小; (2)斜壁与地面的夹角. 得 分 阅卷复 核 12.(20分)从左至右在同—水平地面上依 次有3个质点a、b、c,且三者共线,a与b 相距l1,b与c相距l2.现同时将它们从其初始位置抛出.已 知质点b以初速度v0竖直上抛,质点c以某一初速度竖直上 抛.设在这3个质点的运动过程中,a能碰到质点b和c;并假 设质点a的质量远大于质点b的质量,且a与b碰撞时间极 短.求质点c的初速度vc和质点a的初速度所满足的条件。所 求的结果均用题中的已知量表示出来。 13.(20分)有—块长条形的纯净半导体 硅,其横截面积为2.5cm2,通有电流2mA 时,其内自由电子定向移动的平均速率为7.5×10-5m/s,空穴 定向移动的平均速率为2.5×10-5m/s.已知硅的密度为 2.4×103kg/m3,原子量是28.电子的电荷量大小为 e=1.6×10-19C.若一个硅原子至多只释放一个自由电子,试估 算此半导体材料中平均多少个硅原子中才有一个硅原子释放出 自由电子阿伏伽德罗常数为N0=6.02×1023mol-1. 得 分 阅卷复 核 得 分 阅卷复 核 14.(20分)电子感应加速器利用变 化的磁场来加速电子.电子绕平均半 径为R的环形轨道(轨道位于真空管道内)运动,磁感应 强度方向与环形轨道平面垂直。电子被感应电场加速,感应 电场的方向与环形轨道相切.电子电荷量为e。 (1)设电子做圆周运动的环形轨道上的磁感应强度大小的增加 率为 t B ,求在环形轨道切线方向感应电场作用在电子上的力; (2)设环形轨道平面上的平均磁感应强度大小的增加率为 t B ,试导出在环形轨道切线方向感应电场作用在电子上的力与 t B 的关系; (3)为了使电子在不断增强的磁场中沿着半径不变的圆轨道加 速运,求 t B 和 t B 之间必须满足的定量关系. 得 分 阅卷复 核 15.(20分)如图,导热性能良好 的气缸A和B高度均为h(已除开活塞 的厚度),横截面积不同,竖直浸没在温度为T0的恒温 槽内。它们的底部由—细管连通(细管容积可忽略).两气缸内 各有一个活塞,质量分别为mA=2m和mB=m,活塞与气缸之间无 摩擦,两活塞的下方为理想气体,上方为真空。当两活塞下方 气体处于平衡状态时,两活塞底面相对于气缸底的高度均为 2 h 。现保持恒温槽温度不变,在两活塞土上面同时各缓慢加上 同样大小的压力,让压力从零缓慢增加,直至其大小等于 2mg(g为重力加速度)为止。并一直保持两活塞上的压力不变; 系统再次达到平衡后,缓慢升高恒温槽的温度,对气体加热, 直至气缸B中活塞底面恰好回到高度为 2 h 处.求 (1)两个活塞的横截面积之比SA:SB; (2)气缸内气体的最后的温度; (3)在加热气体的过程中.气体对活塞所做的总功。 得 分 阅卷复 核 16.(20分)如示意图所示,一垂 直放置的高为15.0cm的圆柱形中空 玻璃容器,其底部玻璃较厚,底部顶点A点到容器底平 面中心B点的距离为8.0cm,底部上沿为一凸起的球 冠,球心C点在A点正下方,球的半径为1.75cm.已知空气和 容器玻璃的折射率分别是n0=和n1=.只考虑近轴光线成像。 已知:当λ《1时,sinλ=λ. (1)当容器内未装任何液体时,求从B点发出的光线通过平 凸玻璃柱,在玻璃柱对称轴上所成的像的位置,并判断像的虚 实; (2)当容器内装满折射率为的液体时,求从B点发出的光线 通过平凸玻璃柱的上表面折射后所成像点的位置,并判断这个 像的虚实。 得 分 阅卷复 核 第32届全国中学生物理竞赛预赛试卷 参考解答与评分标准 一、选择题.本题共5小题,每小题6分.在每小题给出的4 个选项中,有的小题只有一项符合题意,有的小题有多项符合 题意.把符合题意的选项前面的英文字母写在每小题后面的方 括号内。全部选对的得6分,选对但不全的得3分,有选错或 不答的得0分. 1.D2.D3.BD4.A5.C 二、填空题.把答案填在题中的横线上.只要给出结果,不 需写出求得结果的过程. 6.(10分) 答案:6N3分 3分 24J4分 7.(10分) 答案:(1)2:13分;8N3分 (2)2:3:44分 8.(10分) 答案: 22)(x M xR M E s = 3R M s(R+x)6分 3 1) 3 ( S E M M R4分 9.(10分) 答案:(1)I1~I2图线为 4分 (2)(±3分;(±3分 10.(10分) 答案: 0 0 )( hc 5分; 0 0 )( ke Rhc 5分 三、计算题. 计算题的解答应写出必要的文字说明、方程式和重要的演算步 骤,只写出最后结果的不能得分。有数值计算的,答案中必须明 确写出数值和单位. 11.(20分)设斜壁长度为l,斜壁对钢索的拉 力大小为F,斜壁与水平地面所夹锐角为α, 由力矩平衡条件得 F 2 l =mg 2 l cosα① 钢索与屋面作为一个整体受到三个力:两端的拉力大小均为 F(与水平方向的夹角为α-30o),竖直向下的重力mg,由力的 平衡条件得 2Fsin(α-30°)= 2 1 mg ② 由①②式得 cosαsin(α-30°)= 4 1 ③ 由三角中的积化和差公式有 2 1 [sin(α-30o-α)+sin(α-30o+α)]= 4 1 即sin(2α-30o)=1 ④ 解得α=60o ⑤ 由①⑤式得 F= 2 1 mg 评分参考:①②式各4分,③④⑤⑥式各3分. 12.(20分)以质点a的初始位置为原点,向右为x轴正向,向上 为y轴正向.设a的初速度x和y分量分别为vx和vy.按抛体 运动公式,在时刻t质点a、b、c的坐标分别为 (xa,ya)=(vxt,vyt- 2 1 gt2) ① (xb,yb)=(l1,v0t- 2 1 gt2) ② (xc,yc)=(l1+l2,vct- 2 1 gt2) ③ a与b相碰的条件是,存在时刻t1,使满足 vxt1=l1 ④ vyt1- 2 1 gt1 2=v0t1- 2 1 gt1 2⑤ v0t1- 2 1 gt1 2≥0⑥ ⑥式来自于水平地面对质点y坐标的限制。由④⑤⑥式得 vy=v0 ⑦ vx≥g 0 1 2v l ⑧ 由于a与b碰撞时间极短,可忽略重力的影响。在a与b碰撞 前后,系统的动量和能量守恒 mavx=mav\'x+mbv\'bx⑨ ma+mbvby(t1)=mav\'y(t1)+mbv\'by(t1)⑩ 2 1 ma[vx 2+vy 2(t1)]+ 2 1 mbvby 2(t1)= 2 1 ma[v\'x 2+v\'y 2(t1)]+ 2 1 mb[v\'bx 2+v\'by 2(t1)]○ 11 式中,碰后的有关速度用打撇的字母表示.由题意,可认为mb=0. 将mb=0代入⑨⑩○ 11 式得 vx=v\'x,vy(t1)=v\'y(t1)○ 12 可见,质点b的运动对质点a的运动的影响可忽略。 同理,a与c相碰的条件是,存在时刻t2,使满足 vxt2=l1+l2○ 13 vyt2- 2 1 gt2 2=vct2- 2 1 gt2 2○ 14 vct2- 2 1 gt2 2≥0○ 15 由○ 13 ○ 14 ○ 15 式得 vc=vy○ 16 vx≥g c ll v2 21 ○ 17 由⑦⑧○ 12 ○ 13 式得,质点c的初速度vc为 vc=v0○ 18 质点a的初速度应满足的条件为 vx≥g 0 21 2v ll ○ 19 vy=vc=v0○ 20 评分参考:①②③式各2分,④⑤⑥⑦⑧○ 12 ○ 13 ○ 14 ○ 15 ○ 16 ○ 17 ○ 18 ○ 19 ○ 20 各1分. 13.(20分) 设此半导体单位体积内有n个自由电子(因此也有n个空穴),以 S表示此半导体的横截面积,vl和v2分别表示半导体中空穴和自 由电子的定向移动速率,Il和I2分别表示半导体中空穴和自由电 子定向移动形成的电流,则 Il=nevlS① I2=nev2S② 半导体中的总电流为 I=Il+I2③ 由此得 n= SeSe I 21 vv ④ 由题意知,此半导体单位体积内有瓦个硅原子释放出自由电子. 单位体积半导体硅内的原子个数为 N= M N0⑤ 式中ρ和M分别为硅的密度和摩尔质量,N0=×1023mo1-1是阿伏 伽德罗常数.由④⑤式得 )( 210 vv SeN IM N n =⑥ 代入有关数据得 N n =1×105⑦ 即此半导体材料中,平均约1×105个硅原子释放出一个自由电子. 评分参考:①②式各4分,③式3分,④式2分,⑤式3分, ⑥⑦式各2分. 14.(20分) (1)设电子做圆周运动的圆轨道上的磁感应强度大小为B,方向 与环面垂直。由牛顿第二定律和洛伦兹力公式得 evB=m R 2v ① 设在圆轨道切线方向作用在电子上作用力为F,按照动量定理有 Ft=(mv)② 由①②式得 F=eR t B ③ (2)按照法拉第电磁感应定律,在电子运动的圆轨道上的感应电 动势为 ξ= t ④ 式中圆轨道所张的面上的磁通量Ф为 Ф=πR2B ⑤ 这里, B 为圆轨道所张的面上的平均磁感应强度。由④⑤式得 ξ=πR2 t B ⑥ 考虑电子运行一圈感应电场所做的功,由电动势的定义可得 ξ=2πRE ⑦ 电子在圆轨道切向所受到的力为 F=qE⑧ 由⑥⑦⑧式得, F= 2 1 eR t B ⑨ (3)③和⑨式所表示的是同样的力的大小.联立③⑨式得 t B = 2 1 t B ⑩ 这就是为了使电子在不断增强的磁场中沿着半径不变的圆轨道 加速运动, t B 和 t B 之间必须满足的定量关系. 评分参考:第(1)问6分,①②③式各2分;第(2)问10分, ④⑤⑦⑧⑨式各2分;第(3)问4分,⑩式4分. 15.(20分) (1)平衡时气缸A、B内气体的压强相等,故 B B A A S gm S gm ① 由①式和题给条件得 SA:SB=2:1② (2)两活塞上各放一质量为2m的质点前,气体的压强pl和体积V1 分别为 p1= BA S mg S mg 2 ③ V1= 2 3 SBh④ 两活塞上各放一质量为2m的质点后,B中活塞所受到的气体压 力小于它和质点所受重力之和,B中活塞将一直下降至气缸底部 为止,B中气体全部进入气缸A.假设此时气缸A中活塞并未上升 到气缸顶部,气体的压强p2为 p2= BA S mg S mg24 ⑤ 设平衡时气体体积为V2.由于初态末态都是平衡态,由理想气体 状态方程有 0 22 0 11 T Vp T Vp ⑥ 由③④⑤⑥式得 V2= 4 3 SBh= 8 3 SAh ⑦ 这时气体的体积小于气缸A的体积,与活塞未上升到气缸顶部的 假设一致. 缓慢加热时,气体先等压膨胀,B中活塞不动,A中活塞上 升;A中活塞上升至顶部后,气体等容升压;压强升至 B S mg3 时,B中 活塞开始上升,气体等压膨胀。设当温度升至T时,该活塞恰位 于 2 h 处.此时气体的体积变为 V3= 2 5 SBh ⑧ 气体压强 p3= B S mg3 ⑨ 设此时气缸内气体的温度为T,由状态方程有 T Vp T Vp 33 0 22 ⑩ 由⑤⑦⑧⑨⑩式得 T=5T0 ○ 11 (3)升高恒温槽的温度后,加热过程中,A活塞上升量为 h- 8 3 h= 8 5 h ○ 12 气体对活塞所做的总功为 W=4mg· 8 5 h+3mg· 2 1 h=4mgh ○ 13 评分参考:第(1)问3分,①式2分,②式1分;第(2)问13 分,③④⑤⑥式各2分,⑦⑧⑨⑩○ 11 式各1分;第(3)问4分, ○ 12 ○ 13 式各2分. 16.(20分) (1)容器底部凸面两侧介质的折射率分别是n1=和n0=。如图,由 B点发出的经过球心C的光线BA经过顶点A后,方向不变,进入 空气中;由B点发出的与BA成α角的另一条光线BD在D点折射, 设折射角为φ,并与前一条出射光线交于E点,E点即B点的像 点的位置。 由折射定律和几何关系得 nlsinθ=n0sinφ ① γ=α+θ ② φ=γ+β ③ 在三角形BCD和三角形CDE中,由正弦定理可得 sinsin BCCD ④ sinsin CECD ⑤ 由于只考虑近轴光线成像,所以α、β、θ、φ都是小角度,① ④⑤式可写为 n1θ=n0φ ⑥ θCD=αBC ⑦ φCD=βCE ⑧ 由⑥⑦式可得 α+θ=φ(1+ BC CD ) 1 0 n n =φ<φ ⑨ 所考虑的光线是会聚的,故所成的像为实像.由②③⑥⑦⑧式可 得 CD n n BC CD n n CDCE 1 0 1 01 1 将题给数据代入上式得 56.1 1 75.10.8 75.1 56.1 1 1 1 CE1.75cm=9.75cm ⑩ 由⑨式和题给数据得 CEACBABE=16.0cm⑩ B点发出的光线通过平凸玻璃柱,在玻璃柱对称轴上所成的像点 的位置在C点正上方9.75cm处或在B点正上方16.0cm处. (2)容器底部凸面两侧介质的折射率分别是nl=和n2=.如图,由B 点发出的经过球心C的光线BA经过顶点A后,方向不变,进入液 体中;由B点发出的与BA成α角的另一条光线BD在D点折射, 设折射角为φ,并与前一条出射光线交E点,E点即B点发出的 光线第一次折射后所成像点的位置. 由折射定律和几何关系可得 nlsinθ=n2sinφ ○ 11 γ=α+θ ○ 12 γ=φ+β ○ 13 在三角形BCD和三角形CDE中,由正弦定理可得 sinsin BCCD ○ 14 sinsin CECD ○ 15 由于只考虑近轴光线成像,所以α、β、θ、φ都是小角度, ○ 11 ○ 14 ○ 15 式可写为 n1θ=n2φ ○ 16 θCD=αBC ○ 17 φCD=βCE ○ 18 由○ 16 ○ 17 式可得 α+θ=φ(1+ BC CD ) 1 2 n n =φ>φ ○ 19 所考虑的光线是发散的,故所成的像为虚像.由○ 12 ○ 13 ○ 16 ○ 17 ○ 18 式得 CD n n BC CD n n CDCE 1 1 1 2 1 2 将有关数据代入上式可得: 1 56.1 30.1 75.10.8 75.1 56.1 30.1 1 CE1.75cm=26.25cm ○ 20 由○ 19 式和题给数据得 ABCEACBE=+20.0cm○ 20 B点发出的光线通过平凸玻璃柱,第一次折射后所成的像点的位 置在C点正下方26.25cm处或在B点正下方20.0cm处. 评分参考:第(1)问10分,①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩式各1分; 第(2)问10分,○ 11 ○ 12 ○ 13 ○ 14 ○ 15 ○ 16 ○ 17 ○ 18 ○ 19 ○ 20 式各1分