内存的性能指标
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2023年2月15日发(作者：)内存条分类及规格参数介绍
内存可以根据储存能⼒与电源的关系可以分为以下两类：
易失性存储器（Volatilememory）指的是当电源供应中断后，存储器所储存的资料便会消失的存储器。主要有以下的类型：
（Randomaccessmemory，随机访问存储器）
（Dynamicrandomaccessmemory，动态随机访问存储器）
（Staticrandomaccessmemory，静态随机访问存储器）
⾮易失性存储器（Non-volatilememory）是指即使电源供应中断，存储器所储存的资料并不会消失，重新供电后，就能够读取内存资料的存
储器。主要有以下的类型：
（Read-onlymemory，只读存储器）
（Programmableread-onlymemory，可编程只读存储器）
（Erasableprogrammablereadonlymemory，可擦可编程只读存储器）
（Electricallyerasableprogrammablereadonlymemory，可电擦可编程只读存储器）
（快闪存储器）
按内存条的接⼝形式，常见内存条有两种：
（SIMM）和（DIMM）
按内存的⼯作⽅式：
FPAEDODRAM-------FPM（FASTPAGEMODE）RAM
EDO（EXTENDEDDATAOUT）RAM
SDRAM（同步动态RAM）-----S（SYSNECRONOUS）DRAM
DDR（DOUBLEDATARAGE）RAM
内存条性能评价指标：
存储容量：即⼀根内存条可以容纳的⼆进制信息量，如⽬前常⽤的168线内存条的存储容量⼀般多为32兆、64兆和128兆。
存取速度：即两次独⽴的存取操作之间所需的最短时间，⼜称为存储周期，半导体存储器的存取周期⼀般为60纳秒⾄100纳秒。
的可靠性：存储器的可靠性⽤平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。
：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格⽐是⼀个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。
SDR和DDR1/2/3全系列内存对照表：
single-sided和double-sided、single-rank和double-rank
如果1根ECCDIMM的9颗芯⽚都位于DIMM的同⼀⾯，就叫做single-sided（单⾯）。如果9颗芯⽚分布在DIMM的两⾯，就叫做double-
sided（双⾯）。作为对single-sided和double-sided的补充，DIMM还被分为single-rank和double-rank（也就是我们在内存的lable上经常能
看到的1R，2R）。
2R*8----R是rank,8是内存颗粒位宽；当颗粒位宽×颗粒数=64bits时，这个模组就是有⼀个RANK。
References